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公开(公告)号：CN102082189A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010571325.7
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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公开(公告)号：CN101299412B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810109622.2
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
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公开(公告)号：CN101034723B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710086231.9
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/101 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明的提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN100440538C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02160521.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/0608 , B23K26/067 , B23K26/0738 , B23K26/0853 , B23K26/10 , B23K26/702 , B23K2101/40 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L29/78603
Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。
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公开(公告)号：CN100438028C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510007875.5
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/00 , H01L29/786 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层其有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101034723A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086231.9
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/101 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN1832207A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610009063.9
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
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公开(公告)号：CN1494164A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03132658.7
申请日：2003-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 荒尾达也
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78645 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是在同一衬底上形成：压缩截至电流的同时重视高耐压性能的TFT；增大导通电流的同时重视高耐压性能的TFT；重视短沟道结构以及因短沟道结构引起的门栏值降低的TFT。本发明的特征在于使栅绝缘膜具有多层结构的同时，在半导体膜上形成不同于栅电极的辅助电极从而在同一衬底上制作具有不同厚度栅绝缘膜的TFT。
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公开(公告)号：CN102082189B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010571325.7
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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公开(公告)号：CN102176488A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110080669.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/113 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
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