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公开(公告)号：CN101299412A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810109622.2
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
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公开(公告)号：CN1312730C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410063473.2
申请日：2002-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , B23K26/00 , H01S3/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/082 , B23K2101/007 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。
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公开(公告)号：CN1947132A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012187.6
申请日：2005-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H04B5/0012 , G06K7/10178 , G06K17/00 , G06K19/07758 , G06K2017/0051 , H04B5/0056 , H04B5/0081
Abstract: 当与ID标签相连的产品置于包装体内部时，存在使用读取器/写入器与ID标签的通信被阻断的风险。从而，难以在产品的分发过程中管理产品，这导致失去ID标签的方便性。本发明的一个特征是包括用于包装与ID标签相连的产品的包装体和读取器/写入器的产品管理系统。ID标签包括薄膜集成电路部分和天线，包装体包括含有天线线圈和电容器的谐振电路部分，谐振电路部分可与读取器/写入器和ID标签通信。从而，即使当产品被包装体包装时，也可确保附连于产品的ID标签与R/W之间的通信的稳定性，且可简单并有效地进行产品管理。
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公开(公告)号：CN1519775A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310123568.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/341 , G06Q20/40145 , G07F7/1008
Abstract: 本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。
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公开(公告)号：CN1441460A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02158432.X
申请日：2002-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01S3/00 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/082 , B23K2101/007 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1421901A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02160249.2
申请日：2002-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02678 , B23K26/04 , B23K26/0604 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/12 , B23K26/1224 , B23K26/123 , B23K26/127 , H01L21/02683 , H01L21/2026
Abstract: 提供一种采用激光结晶技术的半导体制造装置，用于提高衬底的处理效率和提高半导体膜的迁移率。该多室系统的半导体制造装置包括用于形成半导体膜的膜形成设备以及激光照射设备。激光照射设备包括用于相对于照射物体控制激光照射位置的第一装置、用于发射激光的第二装置(激光振荡器)、用于处理或会聚激光的第三装置(光学系统)、以及按照被第三装置处理的激光的束点可以覆盖根据掩模结构(图形信息)的数据确定的位置的方式用于控制第二装置的振荡和用于控制第一装置的第四装置。
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公开(公告)号：CN1421899A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152955.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G06F9/45
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。
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公开(公告)号：CN1627518B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200410100264.0
申请日：2004-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603 , Y10T29/49117
Abstract: 半导体器件及其制造方法一种以无线标签为典型的半导体器件，它具有改进了的机械强度，能够用更简单的工艺以低的成本加以制作，并防止了无线电波被屏蔽，以及一种制造此半导体器件的方法。根据本发明，无线标签包括由具有薄膜半导体膜的隔离的TFT组成的薄膜集成电路。无线标签可以被直接固定到物品，或在固定到物品之前被固定到诸如塑料和纸之类的柔性支持件。本发明的无线标签可以包括天线以及薄膜集成电路。天线使得能够在读出器/写入器与薄膜集成电路之间进行信号通信，并能够将电源电压从读出器/写入器馈送到薄膜集成电路。
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公开(公告)号：CN1661387B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200510006810.9
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01R31/2889 , G01R31/2886 , G01R31/3025 , G01R31/303 , G06K7/0095
Abstract: 本发明提供一种可以无接触地供应信号或电源电压至ID芯片并可提高检测程序的处理量的ID芯片的检测系统，和使用该检测系统的检测方法。如本发明的检测系统包括多个检测电极、多个检测天线、位置控制单元、用于施加电压至各检测天线的单元、和测量检测电极的电位的单元。该检测系统的一个特征是多个ID芯片与多个检测电极以一定间距重叠，多个ID芯片与多个检测天线以一定间距重叠，和多个ID芯片通过位置控制单元被插入多个检测电极与多个检测天线之间。
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公开(公告)号：CN1910596B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200580002578.X
申请日：2005-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/00 , H01L27/04 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/073 , G06K19/07726 , G06K19/07749 , G06K19/0776 , G06K19/07798 , G06K2017/0064 , H01L23/49855 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在粘到物体之后被剥离时，它能可靠地限制与读/写器之间的信号或电源电压的发射/接收。本发明的半导体装置包括支撑基底上形成的集成电路和天线。本发明的半导体装置中，在支撑基底上形成分离层，该分离层与将绝缘薄膜夹在中间的集成电路和天线交叠。电学连接集成电路和天线的布线、电学连接集成电路中的半导体元件的布线或形成天线的布线经过该分离层。
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