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公开(公告)号：CN1910596B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200580002578.X
申请日：2005-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/00 , H01L27/04 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/073 , G06K19/07726 , G06K19/07749 , G06K19/0776 , G06K19/07798 , G06K2017/0064 , H01L23/49855 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在粘到物体之后被剥离时，它能可靠地限制与读/写器之间的信号或电源电压的发射/接收。本发明的半导体装置包括支撑基底上形成的集成电路和天线。本发明的半导体装置中，在支撑基底上形成分离层，该分离层与将绝缘薄膜夹在中间的集成电路和天线交叠。电学连接集成电路和天线的布线、电学连接集成电路中的半导体元件的布线或形成天线的布线经过该分离层。
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公开(公告)号：CN1914737B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200480040428.3
申请日：2004-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78696
Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。
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公开(公告)号：CN101916764A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010235687.9
申请日：2005-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 本发明涉及膜状物品及其制作方法。由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。
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公开(公告)号：CN1947132A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012187.6
申请日：2005-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H04B5/0012 , G06K7/10178 , G06K17/00 , G06K19/07758 , G06K2017/0051 , H04B5/0056 , H04B5/0081
Abstract: 当与ID标签相连的产品置于包装体内部时，存在使用读取器/写入器与ID标签的通信被阻断的风险。从而，难以在产品的分发过程中管理产品，这导致失去ID标签的方便性。本发明的一个特征是包括用于包装与ID标签相连的产品的包装体和读取器/写入器的产品管理系统。ID标签包括薄膜集成电路部分和天线，包装体包括含有天线线圈和电容器的谐振电路部分，谐振电路部分可与读取器/写入器和ID标签通信。从而，即使当产品被包装体包装时，也可确保附连于产品的ID标签与R/W之间的通信的稳定性，且可简单并有效地进行产品管理。
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公开(公告)号：CN1918708B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200580004279.X
申请日：2005-02-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G06K19/077 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/025 , G06K19/07728 , G06K19/07749 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2221/6835 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体装置，它能够改善半导体元件的可靠性，并提高其机械强度，而不减小电路规模。该半导体装置包括夹在第一和第二密封薄膜之间的集成电路、与该集成电路电连接的天线，该第一密封薄膜夹在基板和该集成电路之间，它包括多个第一绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第二绝缘薄膜，该第二密封缘薄膜包括多个第三绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第四绝缘薄膜。第二绝缘薄膜的应力比第一绝缘薄膜低，第四绝缘薄膜的应力比第三绝缘薄膜低。第一和第三绝缘薄膜是无机绝缘薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1910600B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200580002912.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , G09F3/00 , H01L27/12 , B42D15/10
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07718 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/78603 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
Abstract: 作为非接触的ID标记，ID标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如，要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管(TFT)的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成TFTs的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ID标记等。
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公开(公告)号：CN101853809A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010167923.8
申请日：2004-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78696
Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。
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公开(公告)号：CN100385645C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410101934.0
申请日：2004-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/6835 , G06K19/0704 , G06K19/0723 , G06K19/07703 , G06K19/07718 , G06K19/07745 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , G06K19/07758 , G06K19/07779 , G06K19/07781 , G06K19/07783 , H01L23/49855 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/45147 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00011
Abstract: 随着非接触式和接触式IC芯片日益普遍，必须以低成本批量生产出应用于对人、动植物、商品、钞票等的巨大数量的IC芯片。譬如，制造用于商品、钞票等物的IC芯片的成本应为每IC芯片1到几日元，1日元以下则更好，人们期盼实现以低成本批量生产的IC芯片的一种结构和IC芯片的一种制作工艺。根据本发明，制作薄膜集成电路器件的方法包括以下步骤：在热氧化的硅衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间刻槽；向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。
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公开(公告)号：CN1910598A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002953.0
申请日：2005-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。
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公开(公告)号：CN101853809B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010167923.8
申请日：2004-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78696
Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。
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