公开(公告)号：CN101452893B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810185705.X

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造法。根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。

公开(公告)号：CN1914737A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200480040428.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神野洋平 ,  藤井岩

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696

Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。

公开(公告)号：CN101853809B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010167923.8

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神野洋平 ,  藤井岩

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696

Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。

公开(公告)号：CN1906650B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200480040414.1

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  藤井岩 ,  桑原秀明 ,  舘村祐子

IPC: G09F9/00 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种显示装置，其可以通过改进材料使用效率的简化制造方法制造。本发明的另一个目的是提供一种该显示装置的制造方法。本发明的另一个目的是提供改进图案粘合性的制造技术。鉴于以上问题，根据本发明，通过液滴喷射方法形成图案。特别在本发明中，基础预处理在通过液滴喷射方法形成图案之前/之后进行。作为这种基础预处理的结果，可以改进图案粘合性以及可以使图案更精细。

公开(公告)号：CN101853809A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010167923.8

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神野洋平 ,  藤井岩

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696

Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。

公开(公告)号：CN100510922C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200480040486.6

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  藤井岩 ,  桑原秀明

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1339 ,  H01L21/288

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13415 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1292

Abstract: 当衬底变得更大时，制造时间由于重复薄膜形成和蚀刻而增加；蚀刻剂等的度物处理成本增加；以及材料效率显著降低。改进衬底和由液滴喷射方法形成的材料层之间粘合性的基础薄膜在本发明中形成。另外，本发明的液晶显示装置的制造方法包括不使用光掩模形成制造液晶显示装置所需的以下图案的至少一个步骤：由布线(或电极)图案、绝缘层图案代表的材料层图案；或形成另一个图案的掩模图案。

公开(公告)号：CN1906528A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200480040486.6

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  藤井岩 ,  桑原秀明

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1339 ,  H01L21/288

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13415 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1292

Abstract: 当衬底变得更大时，制造时间由于重复薄膜形成和蚀刻而增加；蚀刻剂等的废物处理成本增加；以及材料效率显著降低。改进衬底和由液滴喷射方法形成的材料层之间粘合性的基础薄膜在本发明中形成。另外，本发明的液晶显示装置的制造方法包括不使用光掩模形成制造液晶显示装置所需的以下图案的至少一个步骤：由布线(或电极)图案、绝缘层图案代表的材料层图案；或形成另一个图案的掩模图案。

公开(公告)号：CN1914737B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200480040428.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神野洋平 ,  藤井岩

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696

Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。

公开(公告)号：CN101452893A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810185705.X

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造法。根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。

公开(公告)号：CN100451797C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480040429.8

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。