公开(公告)号：CN102354067A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110293254.3

申请日：2004-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  远藤秋男 ,  荒井康行

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  G02F2001/13613 ,  H01L27/14678 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592

Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。

公开(公告)号：CN100568268C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200310123568.4

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/40145 ,  G07F7/1008

Abstract: 本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。

公开(公告)号：CN100543803C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200480035327.7

申请日：2004-11-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山下晃央 ,  福本由美子 ,  后藤裕吾

IPC: G09F9/00 ,  H05B33/10 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326

Abstract: 为提供一种高产量制造具有优良抗冲击性的显示装置的方法，特别是一种制造具有用塑料衬底制成的光学膜的显示装置的方法。该制造显示装置的方法包括步骤：在第一衬底上顺序形成金属膜、氧化物膜、和光学滤光片；从所述第一衬底上分离包括所述光学滤光片的层；将包括光学滤光片的层贴到第二衬底上；在第三衬底的一个表面上形成包含像素的层；将该含有像素的层贴到第四衬底上；以及将包括光学滤光片的层贴到所述第三衬底的另一表面。

公开(公告)号：CN101499201A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810176170.X

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G07G1/06 ,  G06K19/077 ,  G07F7/08

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/40145 ,  G07F7/1008

Abstract: 本发明的名称为卡以及利用该卡的记帐系统，目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。

公开(公告)号：CN101189625A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019382.6

申请日：2006-05-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青木智幸 ,  后藤裕吾

IPC: G06K19/077 ,  B41F15/44 ,  B41M1/12 ,  G06K19/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01Q7/00 ,  H01Q23/00

CPC classification number: G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5328 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H01Q9/27 ,  H01Q23/00 ,  H05K3/1216 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板上形成具有晶体管的元件组，且通过从第一开口部分挤出包括导电颗粒的浆状物在所述元件组上形成作为伪图案的导电膜，且在此之后通过从第二开口部分挤出包括导电颗粒的浆状物继续形成与所述晶体管电连接的作为天线的导电膜。因此，包括：在基板上提供的具有晶体管的元件组；在所述元件组上提供的并与所述晶体管电连接的用作天线的第一导电膜；与所述第一导电膜相邻提供且不与晶体管相连的作为伪图案的第二导电膜。

公开(公告)号：CN1288710C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02148256.X

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN1735968A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108533.1

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1446 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。

公开(公告)号：CN1519933A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123558.0

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  新川悦子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/563 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。

公开(公告)号：CN1516234A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124240.4

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/3025

Abstract: 一种分离方法，包括步骤：依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜；将支撑物粘接到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层，并从提供有该金属层的衬底通过物理方法分离粘接到该支撑物的该释放层。在分离方法中，进行热处理以便使半导体膜中含有的氢扩散，通过还原在金属膜和第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形成第三氧化物，并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该金属膜之间的表面边界，或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该第一氧化物之间的表面边界。

公开(公告)号：CN1492722A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03158661.9

申请日：2003-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  鹤目卓也 ,  后藤裕吾

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明通过采用能够形成叠层的含有氟树脂的膜作为保护元件不受湿气和氧气的影响的保护膜，跟常规的技术相比更容易防止发光元件的退化，因而可以达到提高发光元件可靠性的目的。本发明对含有氟树脂的膜的表面进行表面处理，使表面形状有凸凹结构，并通过控制含有氟树脂的膜中的氟树脂的含有量，使在含有氟树脂的膜上形成其他膜的叠层结构成为可能。在通过控制含有氟树脂的膜中的氟树脂的含有量，在含有氟树脂的膜上形成其他膜的叠层的情形中，通过溅射法按顺序用多个靶形成含有氟树脂的膜，其中多个靶用氟树脂和金属氧化物制成并具有不同含有率，由此控制膜中的氟树脂的含有量。