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公开(公告)号：CN112323039A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010653174.3
申请日：2014-02-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 描述了用于前驱物的稳定化的方法及设备，这些方法及设备可用于沉积含锰膜。某些方法及设备涉及经添加衬里的安瓿和/或2‑电子供体配体。
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公开(公告)号：CN111902566A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980020567.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤里·梅尔尼克 , 苏克蒂·查特吉 , 考沙尔·冈加什卡尔 , 乔纳森·弗兰克尔 , 兰斯·A·斯卡德尔 , 普拉文·K·纳万克尔 , 大卫·布里兹 , 托马斯·奈斯利 , 马克·沙丽 , 戴维·汤普森
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/32 , C23C16/42 , C23C16/56
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和用于沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积保护涂层的方法包括：顺序地将航空航天部件暴露于铬前驱物和反应物以通过原子层沉积工艺在航空航天部件的表面上形成含铬层。含铬层包含金属铬、氧化铬、氮化铬、碳化铬、硅化铬或上述各项的任何组合。
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公开(公告)号：CN109415385A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039664.0
申请日：2017-06-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
CPC classification number: H01L21/02192 , C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 金属配位络合物，包含配位至至少一个氮杂-烯丙基配体的金属原子，所述配体具有由下式表示的结构：其中R1-R4各自独立地选自由H、支链或非支链的C1-C6烷基、支链或非支链的C1-C6烯基、支链或非支链的C1-C6炔基、具有在1至6个碳原子范围内的环烷基、硅基和卤素组成的群组。也描述了使用所述金属配位络合物和适宜的反应物来沉积膜的方法。
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公开(公告)号：CN106470756A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580036357.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 , 董友群 , 戴维·汤普森 , 张梅
Abstract: 本文提供用于化学品输送的方法与设备。在一些实施方式中，第一贮槽容纳第一容积的流体、接收载气、并且将所述载气连同源自所述第一容积的流体的蒸气一并输出。第二贮槽容纳第二容积的流体，且能够输送所述第二容积的流体的一部分至所述第一贮槽。自行调节管从所述第一贮槽延伸到所述第二贮槽中的所述第二容积的流体上方的区域。
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公开(公告)号：CN104221132B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380019857.1
申请日：2013-04-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76867 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105019019A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510212599.X
申请日：2015-04-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了在相对于电介质表面的基板表面上选择性地形成外延膜的方法。预处理所述基板表面以形成差异化的靶表面封端，所述差异化的靶表面封端可进一步反应以产生一个或更多个保护基。所述保护基抑制随后的所述外延膜在所述受保护表面上的生长。
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公开(公告)号：CN112640047B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980057963.6
申请日：2019-09-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。
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公开(公告)号：CN116892011A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310717002.1
申请日：2019-03-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤里·梅尔尼克 , 苏克蒂·查特吉 , 考沙尔·冈加什卡尔 , 乔纳森·弗兰克尔 , 兰斯·A·斯卡德尔 , 普拉文·K·纳万克尔 , 大卫·布里兹 , 托马斯·奈斯利 , 马克·沙丽 , 戴维·汤普森
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和用于沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积保护涂层的方法包括：顺序地将航空航天部件暴露于铬前驱物和反应物以通过原子层沉积工艺在航空航天部件的表面上形成含铬层。含铬层包含金属铬、氧化铬、氮化铬、碳化铬、硅化铬或上述各项的任何组合。
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公开(公告)号：CN112654925A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980056243.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述含锡前驱物与形成含锡薄膜的方法。锡前驱物具有锡‑二氮杂二烯键，且为同配位基式或异配位基式。适合的反应物用于提供下述项之一：金属锡膜或包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物和/或硅化物中的一或多种的膜。也描述形成三元材料的方法，该三元材料包括锡以及下述的二种或多种：氧、氮、碳、硼、硅、钛、钌和/或钨。
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公开(公告)号：CN112640047A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057963.6
申请日：2019-09-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。
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