公开(公告)号：CN112640047B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980057963.6

申请日：2019-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  阮鸿 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  马克·沙丽 ,  刘风全 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。

公开(公告)号：CN112640047A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057963.6

申请日：2019-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  阮鸿 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  马克·沙丽 ,  刘风全 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。