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公开(公告)号：CN118181007A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410528413.0
申请日：2024-04-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶棒滚磨机的上料装置、晶棒滚磨系统和方法，涉及单晶硅加工技术领域，该装置包括：固定机构、旋转机构、升降机构、平移机构和夹持机构；固定机构的底端固定于晶棒滚磨机的一端，另一端与旋转机构的底端转动连接，旋转机构的上端与升降机构的底端固定连接，该升降机构的上端与平移机构的一端活动连接，且该平移机构可在升降机构上沿竖直方向上下移动；夹持机构的上端活动固定在平移机构上，且可在平移机构上沿水平方向移动，该夹持机构的下端用于夹持待滚磨的晶棒。本方案能够降低晶棒上下料时操作人员的劳动强度，同时降低上下料时所存在的安全隐患。
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公开(公告)号：CN117961979A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410138019.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种单晶炉磁场冷头的更换装置及更换方法，涉及单晶炉设备维护技术领域，该装置包括隔离箱体和隔离操作手套；隔离箱体的下拐角处设置开口，隔离箱体能够通过开口紧密固定在单晶炉磁场的磁场功能箱上，并且使插在磁场功能箱上的冷头处于隔离箱体内部；隔离箱体的正面和背面均对称设置有一对隔离操作手套，该隔离操作手套与隔离箱体内部隔绝，隔离操作手套伸入隔离箱体的内部，操作人员能够通过隔离操作手套遍及到保养后的新冷头以及旧冷头的位置；隔离箱体的上端设置有排气口，下端设置有充气口，用于向隔离箱体内充入稀有气体，并将空气从排气口排出。本方案能够缩短单晶炉磁场冷头的更换时间，进而提高单晶硅的生产效率。
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公开(公告)号：CN117552079A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311586251.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种用于降低硅单晶微缺陷的单晶炉改进方法，该改进方法基于原单晶炉的结构基础上进行，包括：将原单晶炉中石墨保温桶底部用于排出惰性气体的第一排气孔堵塞，并在该石墨保温桶侧壁上开设用于排出惰性气体的第二排气孔；以及，沿原单晶炉内壁架设排气管道，该排气管道的两端分别连通所述第二排气孔和原单晶炉底部用于排出惰性气体的第三排气孔。本方案能够在拉晶过程中降低硅单晶微缺陷的形成。
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公开(公告)号：CN117415398A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311385429.2
申请日：2023-10-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种NTC线切割机张力臂校准装置，包括伸缩组件和测试组件，伸缩组件的一端固定在NTC线切割机的其中一个张力臂上，伸缩组件的另一端固定在上述张力臂对应的限位档杆上；测试组件包括测试金刚线和砝码，测试金刚线依次绕过上述张力臂对应的导向轮、该张力臂顶端的导向轮、以及该张力臂对应的张力传感器导轮，测试金刚线的下端悬挂砝码；伸缩组件在缩短过程中拉动张力臂朝限位档杆转动，使张力臂在伸缩组件和测试组件的平衡下处于垂直状态，即使张力臂处于倾斜状态，也能通过伸缩组件的伸长或缩短将张力臂调整为垂直状态，从而使数值状态下张力臂上安装导向轮处测试金刚线的张力和砝码重力相等，提高校准的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117127253A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311101671.2
申请日：2023-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种基于双重PID的单晶平均拉速控制方法，包括：在单晶硅拉制的等径过程中，实时对晶棒直径的波动量进行监测，并根据监测到的晶棒直径的波动量对第一套PID控制算法和第二套PID控制算法进行切换，以实现对单晶硅平均拉速的精准控制；其中，第二套PID控制算法的瞬时干预量大于第一套PID控制算法的瞬时干预量。本方案能够提高晶棒平均拉速的控制精度，进而减少因拉速波动的原因所产生的微缺陷数量，提高晶棒的品质。
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公开(公告)号：CN117107352A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310923647.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种降低硅单晶拉制过程中微缺陷形成的装置及安装方法，该装置包括降温部件、法兰和辅助降温组件；降温部件包括内筒和外筒，内筒的中间为空心结构，用于在硅单晶拉制过程中通过硅单晶，内筒的上端与法兰固定；外筒密封包裹在内筒的外表面，外筒的上端与法兰的下表面固定，外筒和内筒之间的密封空间内设置有水道，该水道的进水口和出水口分别正对设置于外筒两侧；辅助降温组件包裹在降温部件的外表面上，且降温部件的外表面与该辅助降温组件的内表面之间存在间隙，该辅助降温组件上设置有若干个气体导向孔，用于在单晶硅拉制过程中氩气通过气体导向孔吹向降温部件的外表面。本方案能够降低单晶硅中缺陷的含量，从而提高拉制的单晶硅的质量。
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公开(公告)号：CN117089923A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311247644.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善半导体硅单晶棒微缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在晶棒拉制过程中，根据石英坩埚的壁厚及石英坩埚的位置调整目标拉速，以减小坩埚位置变化对温度梯度的影响，以使晶棒拉制过程中一直处于COP‑Free区间，提高单晶的微缺陷质量，进而获得完美单晶。
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公开(公告)号：CN117020956A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311065440.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种自行修刀的单晶硅晶棒滚磨机及修刀方法，涉及晶棒滚磨机技术领域，当砂轮或磨头表面粗糙或凹凸不平时，将晶棒取出，通过晶棒夹头将修刀件夹持在原来晶棒的位置上，启动自行修刀的单晶硅晶棒滚磨机，砂轮或磨头进行旋转与修刀件接触，进行修刀，一方面，自行修刀的单晶硅晶棒滚磨机既可通过砂轮、磨头对晶棒进行滚磨加工，也可通过修刀件对砂轮或磨头的表面缺陷进行自动修复，不用频繁更换砂轮或磨头，使得成本降低；另一方面，选择抗磨球墨铸铁作为修刀件的材质，使得修刀件硬度高、耐磨性能强；再一方面，所述修刀件的适用性强，可安装在不同的晶棒滚磨机上进行磨刀。
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公开(公告)号：CN116892060A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310926929.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善单晶硅微缺陷的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，在晶棒拉制过程中，具有冷却系统的热场包括水冷热屏，所述水冷热屏内开设环形水冷空腔，所述环形水冷空腔与所述水冷热屏的形状相同，在所述水冷热屏内的环形水冷空腔通入预定温度的冷水，使得在拉速V相同的情况下，固液界面中心与边缘温度梯度G近似为1，使得单晶横截面不会存在两种不同点缺陷的富积区，进而使得COP缺陷的形成得到了抑制，有效的减少单晶中的粒子缺陷（COP)。
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