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公开(公告)号：CN114512574A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413983.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的连续化制造设备，该异质结太阳能电池的连续化制造设备包括传输腔、上料腔、下料腔及反应腔；上料腔、多个反应腔及下料腔依次螺旋设置在传输腔侧壁上；传输腔中部设有输送立柱及与输送立柱连接的螺旋驱动机构；输送立柱上具有多个螺旋分布设置的输送组件；螺旋驱动机构用于驱动输送立柱进行螺旋升降运动；该设备设置螺旋分布的上料腔、多个反应腔及下料腔及螺旋分布的多个输送组件，使得输送组件在螺旋驱动机构驱动输送立柱运动的作用下，持续将工件输送到不同的反应腔中进行表面加工，实现了异质结太阳能电池的连续化制造。
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公开(公告)号：CN113774478A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111088462.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的反应工况调节方法、装置、系统及电子设备，其中，所述方法包括以下步骤：实时获取所述外延设备的反应室的尾气浓度信息；根据所述尾气浓度信息调节所述反应室内的温度和/或所述反应室内反应气体的流量；该方法实时获取的尾气浓度信息能反映出反应室内晶体生长情况，该方法根据实时获取的尾气浓度信息调节温度和/或反应气体的流量能改变反应工况，能及时地进行反应室内反应工况的动态反馈调节，以使反应室内的晶体生长情况满足预期需求。
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公开(公告)号：CN113638043A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110936866.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。
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公开(公告)号：CN118758194A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN114808068B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阴极，Nb金属板作为阳极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114277360B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111640300.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN116876080A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310932768.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C30B29/36 , C30B25/16 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体而言，涉及一种外延反应室的导流装置及外延设备，其中外延反应室的导流装置包括导流组件；导流组件设置在外延反应室内部，位于衬底托盘正上方且与供气口连接；导流组件包括与供气口连接且朝向衬底托盘设置的导流管和位于导流管中部的导流件；导流件包括低于导流管末端的扩散板。本申请的外延反应室的导流装置能解决在衬底上进行外延生长时竖直方向通气产生的气体逆向流动情况导致的外延生长不均匀的问题，达到在各个衬底上进行均匀生长的效果。
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公开(公告)号：CN116539638A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310810542.4
申请日：2023-07-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标，步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
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公开(公告)号：CN116288695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310111879.6
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温场调节装置及系统，该装置包括：混合气体提供组件，用于提供混合气体；气体分流组件，其进气端与混合气体提供组件连接，其出气端通过一条主路气体气路和两条旁路气体气路与反应室的进气端连接，主路气体气路位于两条旁路气体气路之间，气体分流组件用于根据预设流量比将混合气体分流送入主路气体气路和两路旁路气体气路；气体温度调节组件，设置在主路气体气路和/或旁路气体气路上，用于调节主路气体气路和/或旁路气体气路内气体的温度；该装置能够在提高反应室内的温场均匀性的前提下有效地降低设计难度以及生产成本和提高反应室内的温场的可调性。
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公开(公告)号：CN114277360A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111640300.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。
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