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公开(公告)号：CN107210197B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680009251.3
申请日：2016-02-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L29/06 , H05K3/00
Abstract: 制备混杂预制图案以用于能够形成层状域图案的给定嵌段共聚物的定向自组装。混杂预制图案具有顶表面，其包括散布有相邻凹陷表面的独立的抬升表面。抬升表面对于通过自组装形成的域是中性润湿的。在给定的蚀刻方法中，在抬升表面下方的材料比在凹陷表面下方的材料具有更大的抗蚀刻性。按照本文所述的混杂预制图案的其他尺寸约束，在混杂预制图案上形成给定嵌段共聚物的层。层的自组装产生在抬升表面上的包括自对准的、单向的、垂直取向的薄片的层状域图案，以及在凹陷表面上平行和/或垂直取向的薄片。域图案沿着预制图案的主轴显示长程有序性。层状域图案可用于形成包括二维定制特征的转印图案。
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公开(公告)号：CN107210197A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009251.3
申请日：2016-02-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L29/06 , H05K3/00
Abstract: 制备混杂预制图案以用于能够形成层状域图案的给定嵌段共聚物的定向自组装。混杂预制图案具有顶表面，其包括散布有相邻凹陷表面的独立的抬升表面。抬升表面对于通过自组装形成的域是中性润湿的。在给定的蚀刻方法中，在抬升表面下方的材料比在凹陷表面下方的材料具有更大的抗蚀刻性。按照本文所述的混杂预制图案的其他尺寸约束，在混杂预制图案上形成给定嵌段共聚物的层。层的自组装产生在抬升表面上的包括自对准的、单向的、垂直取向的薄片的层状域图案，以及在凹陷表面上平行和/或垂直取向的薄片。域图案沿着预制图案的主轴显示长程有序性。层状域图案可用于形成包括二维定制特征的转印图案。
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公开(公告)号：CN103946975A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280050854.X
申请日：2012-10-25
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76813 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。
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公开(公告)号：CN103946954A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280052536.7
申请日：2012-10-24
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , Y10T428/24479
Abstract: 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115943760A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180050969.8
申请日：2021-08-05
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 公开的约瑟夫逊结器件(110)包括：被形成在基板2(220)上的下部超导材料层；在该下部超导材料层上方形成的结层(240)；形成在该结层上方的上部超导材料层(260)。替换地，下部超导材料层是合金，优选地铝合金，其平均晶粒尺寸小于20nm并小于结的宽度和长度。
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公开(公告)号：CN112868135B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201980067853.8
申请日：2019-10-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 提供了组合或分离直流和微波信号的超导器件的制造。一种方法可以包括形成支持直流的直流电路，支持微波信号的微波电路以及支持直流和微波信号的公共电路。该方法还可包括将直流电路的第一端和微波电路的第一端可操作地耦合到公共电路的第一端。直流电路可以包括带阻电路，而微波电路可以包括电容器。可替代地，直流电路可以包括带阻电路，而微波电路可以包括带通电路。可替代地，微波电路可以包括电容器，并且直流电路可以包括一个或多个四分之一波长传输线。
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公开(公告)号：CN114787829A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084307.8
申请日：2020-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/00 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 根据本发明的实施例，量子处理器包括量子位芯片。该量子位芯片包括衬底、以及在该衬底的第一表面上形成的多个量子位。该多个量子位被安排在一种图案中，其中在该图案中的最近相邻量子位是连接的。该量子处理器还包括长距离连接器，该长距离连接器被配置为将该多个量子位的第一量子位连接到该多个量子位的第二量子位上，其中该第一和第二量子位被该图案中的至少第三量子位分隔开。
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