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公开(公告)号：CN107290940B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610482180.0
申请日：2016-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭露一种用于微影的三层型光阻结构和其制造方法。形成一底层、一光敏层以及一中间层，其中中间层位于底层以及光敏层的中间。中间层会因为组成物的表面能差异而分层成两层，下层的硅含量比上层高。当使用负调显影时可以在中间层上方加入具有极性转换功能的改质层避免光敏层塌陷。本发明的结构可以提升蚀刻后的线宽均匀度。
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公开(公告)号：CN108231548A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710631901.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/26 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN108121154A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710344344.8
申请日：2017-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明一些实施例提供提供光刻图案化的方法，包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光酸产生剂包含化学键合至硫的第一苯环与第二苯环，第一苯环与第二苯环更化学键合在一起，以增加光酸产生剂的敏感度；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。本发明提供敏感度增加的光致抗蚀剂材料，可增加光致抗蚀剂材料的敏感度。
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公开(公告)号：CN103489807B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201210359849.9
申请日：2012-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: G01R1/07364 , G01R1/06705 , G01R31/2887 , G01R31/2891 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 公开了对准诸如晶圆级测试探针的探针和晶圆接触件的系统和方法。一种示例性方法包括在晶圆测试系统接收包括多个对准接触件的晶圆和包括多个探测点的探针卡。接收历史偏差校正。基于该历史偏差校正，确定探针卡相对于晶圆的方位值。使用方位值对准探针卡和晶圆以试图使得第一探测点接触第一对准接触件。评价第一探测点和第一对准接触件的连接性。利用对准的探针卡实施晶圆的电测试，以及基于方位值更新历史偏差校正。
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公开(公告)号：CN107068594A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710233807.3
申请日：2012-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种清洗半导体晶圆的方法和装置。在该方法的实施例中，提供了单晶圆清洗装置并且将晶圆设置在该装置中。将第一化学喷剂分布到晶圆的正面上。在分布第一化学喷剂的同时清洗晶圆的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液喷剂。还描述了一种用于清洗单个半导体晶圆的正面和背面的装置。本发明还提供了一种半导体衬底的原位背面清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681395B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201210539997.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G05B19/4065 , G05B2219/37252 , G05B2219/45031
Abstract: 本发明提供了用于工具状态监控的各种方法，本发明还包括用于实现这种监控的系统。一种示例性方法包括接收与由集成电路制造工艺工具对晶圆实施工艺相关联的数据；以及使用数据监控集成电路制造工艺工具的状态。监控包括：基于异常识别标准、异常过滤标准以及异常阈值评估数据以确定数据是否满足警报阈值。方法进一步包括当数据满足警报阈值时发布警报。本发明还提供了用于工具状态监控的定性故障检测和分类系统及相关方法。
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公开(公告)号：CN105990104A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510860185.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/26
Abstract: 本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。
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公开(公告)号：CN103377890A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210309438.9
申请日：2012-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/268 , H01L23/544 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/268 , H01L21/67282 , H01L21/683 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种定向半导体晶圆的方法。该方法包括：关于中心轴旋转晶圆；使旋转晶圆的多个边缘部分暴露在来自一个或多个光源的具有预定波长的光下；在旋转晶圆的多个边缘部分中的至少一部分中检测表面下标记；以及使用所检测到的表面下标记作为参考定向晶圆。本发明还提供了用于制造半导体晶圆的方法。
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公开(公告)号：CN103311145A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210229433.5
申请日：2012-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/68764
Abstract: 控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法。该方法包括在晶圆加工模块中在晶圆加工组件上设置半导体晶圆。从以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号以检查模块中晶圆的平整度，以使从晶圆反射信号。实施例包括在信号接收器以相对于与晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控反射信号。如果在信号接收器处没有接收到反射信号则生成报警指示。
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公开(公告)号：CN103252721A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210208914.8
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017
CPC classification number: B24B53/017
Abstract: 本发明涉及增强抛光垫清洁从而防止化学机械抛光(CMP)工艺中的晶圆刮伤和污染的两相清洁元件。在一些实施例中，两相垫清洁元件包括被配置成相继对一段CMP抛光垫进行操作的第一清洁元件和第二清洁元件。第一清洁元件包括兆频超声波清洁喷射件，其被配置成利用空化能量移出嵌入CMP抛光垫中的颗粒而不损伤抛光垫的表面。第二清洁元件被配置成施加包含两种流体的高压雾以从CMP抛光垫去除副产物。通过使用兆频超声波清洁来移出嵌入的颗粒，以及使用双流体雾来冲去副产物(例如，包括移出的嵌入颗粒)，两相垫清洁元件增强了抛光垫清洁。本发明提供了CMP垫清洁装置。
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