公开(公告)号：CN101345250A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200710166453.1

申请日：2007-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李自强 ,  梁春升 ,  黄俊仁 ,  杨富量

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种集成电路装置和存储矩阵，该装置包含一晶体管具有第一接点、第二接点和第三接点；一第一接触栓塞连接该晶体管的第一接点；一第二接触栓塞连接该晶体管的第一接点；一第一电阻式存储单元具有第一端点和第二端点，而且该第一端点连接该第一接触栓塞；以及一第二电阻式存储矩阵具有第三端点和第四端点，而且该第三端点连接该第二接触栓塞。

公开(公告)号：CN101315933A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200710166452.7

申请日：2007-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  张长昀 ,  吕升达 ,  杨富量

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明涉及一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，包括半导体基材；以及在半导体基材上的表面上设有第一鳍式场效应晶体管与第二鳍式场效应晶体管。第一鳍式场效应晶体管包括第一鳍片；以及覆盖于第一鳍片的上表面及多个侧壁上的第一栅极。第二鳍式场效应晶体管包括与第一鳍片相隔一鳍片间隙的第二鳍片；以及覆盖于第二鳍片的上表面及多个侧壁上的第二栅极。第一栅极与第二栅极为电性隔离。第一栅极与第二栅极的栅极高度大于约一半的鳍片间隙。

公开(公告)号：CN100428446C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200510075664.5

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宏玮 ,  杨育佳 ,  李迪弘 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/42384 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件及其制作方法，具体涉及一种不具变窄或断裂缺点的纳米线，特别是直径小于20纳米的纳米线，是于退火时利用硅原子堆积而生。其制程为遮蔽一主动区的部分，其中硅原子要不是利用例如二氧化硅、氮化硅等材质来堆积，就是利用其它的介电材质来减少堆积。纳米线、纳米管、纳米棒、或其它的类型皆可用来组成元件，像是一晶体管元件的一沟道。

公开(公告)号：CN100394614C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410096196.5

申请日：2004-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄健朝 ,  杨富量 ,  甘万达 ,  胡正明 ,  葛崇祜 ,  李文钦 ,  柯志欣

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/045 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置具有一基底，其表层具有 的结晶方向。借由硅化的源/漏极区、张力层、浅沟槽隔离结构、层间介电质等，施加用以增进NMOS场效晶体管效能的张应力。本发明有效的改善了晶体管的效能。

公开(公告)号：CN101118927A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710102429.1

申请日：2007-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宏铭 ,  黄健朝 ,  杨富量

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体元件，包括：半导体基底；栅极堆栈结构(gate stack)位于半导体基底上；间隙壁位于该栅极堆栈结构的侧壁上；轻掺杂源/漏极区与该栅极堆栈结构邻接；深源/漏极区与该轻掺杂源/漏极区邻接；以及分段金属硅化区位于该深源/漏极区与轻掺杂源/漏极区之上。其中该分段的金属硅化区包括第一部分，其具有第一厚度、第二部分与该第一部分邻接且具有第二厚度，而该第二厚度实质上小于该第一厚度。又其中该第二部分较该第一部分靠近通道区。

公开(公告)号：CN100346472C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410008061.9

申请日：2004-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨富量 ,  陈豪育 ,  杨育佳 ,  卡罗司 ,  胡正明

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供一种具多厚度的绝缘层上半导体的结构及其形成方法，提供一晶圆，此晶圆具有重叠位于基材上的埋入绝缘层上的一半导体膜(具有至少两区域)。覆盖半导体膜至少两区域中的一者，以提供具有一第一厚度的至少一半导体膜覆盖部分，保留暴露半导体膜至少两区域中的至少一者，以提供具有第一厚度的至少一半导体膜暴露部分。蚀刻上述至少一暴露半导体膜部分的至少一部分，以提供至少一部分蚀刻、暴露半导体膜部分，接着进行部分氧化，以提供至少一部分氧化、部分蚀刻、暴露半导体膜部分。去除此蚀刻、暴露半导体膜的氧化部分，保留具有小于第一厚度的第二厚度的半导体膜的一部分。

公开(公告)号：CN100345301C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310113625.0

申请日：2003-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈豪育 ,  杨育佳 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/7854 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明是一种整合型晶体管及其制造方法，主要提出制作一完全空乏晶体管的方法，并且将完全空乏晶体管、部分空乏晶体管与多重栅极晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当上述多重栅极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，上述多重栅极晶体管便是完全空乏。

公开(公告)号：CN1992206A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610103930.5

申请日：2006-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宏玮 ,  钟堂轩 ,  吕升达 ,  张长昀 ,  吴炳坤 ,  王昭雄 ,  杨富量

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件及其形成方法，在一实施例中，该方法包括在一半导体基材上形成一硬遮罩层；图案化该硬遮罩层而形成复数个开孔；经由该硬遮罩层的该些开孔蚀刻该基材而形成复数个沟渠，该些沟渠将复数个半导体台面隔开；以一介电材料部分填满该些沟渠；移除该硬遮罩层并且形成复数个多重闸极特征，每一多重闸极特征是与至少一个半导体台面的上表面以及侧壁接触。

公开(公告)号：CN1324661C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410042998.8

申请日：2004-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李新辉 ,  黄健朝 ,  王昭雄 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/00

Abstract: 一种切割晶片的方法，其中此晶片具有钻石结构的基础材料。晶片先经过一个研磨过程，而从晶片的背面将晶片的预设部分予以磨除。接着，经由至少一条线来切割晶片，其中此线系沿着从钻石结构的天然裂缝方向偏移一个预设偏移角的方向。

公开(公告)号：CN1320658C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03156864.5

申请日：2003-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  陈豪育 ,  曹训志 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；多个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及多个抗凹蚀区，个别地设置于未为此些半导体岛所遮蔽的该绝缘层内。