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公开(公告)号：CN110085619B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910360845.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，其中。通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的背面电极通过开孔和键合层与导电基板电连接，进而无需在第一芯片区进行刻蚀而裸露其背面电极，保证垂直高压发光二极管芯片的有效发光面积较大；以及，第一芯片区的背面电极不需要打线，节省了成本，提高了可靠性；另外，每一芯片区电流扩展都为垂直方向，且第一芯片区的背面电极与第N芯片区的正面电极形成垂直结构，使得垂直高压发光二极管芯片的电流扩展较好，进而能够避免电流拥堵而提高电流耐受能力；此外，垂直高压发光二极管芯片的光型较好，符合朗伯分布而更易于配光。
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公开(公告)号：CN112652686A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202110001890.8
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层；所述电流扩展复合层具有第一通孔，所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层，且裸露所述第一N型半导体层的部分表面；使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层，在保证其电流扩展效果的同时，可较好地实现稳定可靠的芯片结构。
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公开(公告)号：CN111564543B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010396450.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的子背面电极开孔并通过键合层与导电基板电连接，避免了水平电极结构中电极的遮光问题，进而保证了发光二极管芯片的有效发光面积较大；由于该高压发光二极管呈成垂直结构，使得高压发光二极管芯片的电流扩展较好，可避免电流的横向拥堵问题，从而提高电流耐受能力；此外，所述第k连接电极通过所述凸起台面连接第k芯片区的第一类型导电层和与第k+1芯片区接触的子背面电极，可增大金属与第一型半导体层的接触面积，从而降低接触电阻，同时可增大电流注入的面积，进一步地降低了高压发光二极管芯片的工作电压。
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公开(公告)号：CN111261766A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010069720.9
申请日：2020-01-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种倒装薄膜LED芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供带有第一电极和第二电极的倒装LED芯片结构和具有第一导电层和第二导电层的导电衬底，其中，导电衬底的面积比倒装LED芯片的面积大，从而使第一电极与第一导电层对应电性连接，第二电极与第二导电层对应电性连接，其中，第二导电层的面积大于第二电极的面积，第二导电层与第二电极连接的区域之外的区域作为第二电极层，用于与外部电路电性连接。通过上述制备方法形成的倒装薄膜LED芯片结构，即保证了LED芯片最大化的发光面积；还能够对去除生长衬底的表面进行粗化处理，从而改善LED芯片的发光分布以及进一步提高LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN110164817A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910428995.4
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112274A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428186.3
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N型半导体，透明导电层和金属电极均固定在N型半导体背离导电基板的一面，且金属电极同时与透明导电层和N型半导体电连接。缓解了现有技术中的垂直结构芯片中N型金属电极容易影响外量子效率的技术问题。
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公开(公告)号：CN120035281A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510340467.9
申请日：2025-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/821 , H10H20/01 , H10H20/84 , H10H20/831 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供一种单面发光LED芯片及其制作方法、显示器件，该单面发光LED芯片包括：在基板一侧的第二接触电极和外延叠层，其中，第二接触电极朝向外延叠层的一侧表面具有显露的第一台面，第一台面环绕外延叠层，且外延叠层背离基板的一侧表面为发光台面；第一接触电极，其通过间隔绝缘层的方式覆盖外延叠层的侧壁及第一台面，且，在部分第一台面设有绝缘材质的挡光层，用于覆盖绝缘层的侧壁，并与第一接触电极接合；其中，挡光层、第一接触电极以及第二接触电极构成的挡光结构可避免LED芯片侧面出光和光波导效应导致的杂光出现，使LED芯片发出的光从发光台面出射，以实现LED芯片的单面出光。
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公开(公告)号：CN119092615A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411374124.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括导电衬底、键合层、外延结构、第一电极焊盘和第二电极焊盘。外延结构设有朝向导电衬底的第一表面和开口于第一表面的切割槽和导通槽；切割槽沿第一方向延伸并至少贯穿第二型半导体层，导通槽暴露第二型半导体层的部分表面；第一方向垂直于导电衬底并由导电衬底指向外延结构。键合层键合连接导电衬底和外延结构，所述键合层嵌入切割槽和导通槽内的部分与外延结构绝缘设置。在外延结构上设置切割槽和导通槽两个槽，使得键合层两边都嵌入槽内，减小键合层两边的高度差，减小键合空洞率，增加芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114242866B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN116995149A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310749068.9
申请日：2023-06-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法，通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽，凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后，在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层，并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化，形成较低的接触势垒，在完成N型欧姆接触后再进行P型金属层和其它芯片工艺的制作，这样可以避免N型欧姆接触层高温退火对深紫外垂直LED芯片其它流程产生负面影响，进而提升深紫外垂直结构LED芯片的可靠性。
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