公开(公告)号：CN119653938A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411831996.0

申请日：2024-12-12

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王振礼 ,  尤翠萍 ,  赵斌 ,  曲晓东 ,  罗桂兰 ,  陈凯轩

IPC: H10H20/815 ,  H10H20/84 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明提供了一种LED外延片及其制作与分离方法，其中，LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和U型GaN层，其中，第一牺牲层设置于蓝宝石衬底的部分表面，U型GaN层通过层叠于蓝宝石衬底表面的方式覆盖第一牺牲层，由于U型GaN层可吸收激光能量，能被激光分解，为形成间隙通道使腐蚀溶液通过间隙通道溶解第一牺牲层提供条件，可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离，使蓝宝石衬底可重复回收利用，还可避免现有剥离工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加，良率较低等问题，进而提高LED芯片可靠性及良率。

公开(公告)号：CN119092615A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411374124.6

申请日：2024-09-29

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 赵斌 ,  张靖榕 ,  杨克伟 ,  王振礼 ,  曲晓东 ,  罗桂兰 ,  陈凯轩

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/62 ,  H01L33/10 ,  H01L33/36 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括导电衬底、键合层、外延结构、第一电极焊盘和第二电极焊盘。外延结构设有朝向导电衬底的第一表面和开口于第一表面的切割槽和导通槽；切割槽沿第一方向延伸并至少贯穿第二型半导体层，导通槽暴露第二型半导体层的部分表面；第一方向垂直于导电衬底并由导电衬底指向外延结构。键合层键合连接导电衬底和外延结构，所述键合层嵌入切割槽和导通槽内的部分与外延结构绝缘设置。在外延结构上设置切割槽和导通槽两个槽，使得键合层两边都嵌入槽内，减小键合层两边的高度差，减小键合空洞率，增加芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN119653939A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411831997.5

申请日：2024-12-12

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王振礼 ,  尤翠萍 ,  赵斌 ,  曲晓东 ,  罗桂兰 ,  陈凯轩

IPC: H10H20/815 ,  H10H20/84 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明提供了一种LED外延片、LED芯片的制备与分离方法，其中LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和缓冲层结构；LED芯片的制备与分离方法，通过芯片工艺，将LED外延片刻蚀形成通过切割道互间隔排布的若干个LED芯片，切割道露出部分第一牺牲层，再采用腐蚀溶液通过显露的切割道将第一牺牲层溶解掉，可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离，使蓝宝石衬底可重复回收利用，还可节省研磨减薄步骤，避免现有研磨工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加，良率较低，及避免激光切割LED芯粒时侧壁产生物理损伤，影响光的输出效率等问题，进而提高LED芯片可靠性及良率。

公开(公告)号：CN118173676A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410358325.0

申请日：2024-03-27

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 赵斌 ,  尤翠萍 ,  王振礼 ,  杨克伟 ,  罗桂兰 ,  曲晓东 ,  陈凯轩

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片在导电基板一侧设置堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的N个发光单元，各发光单元皆包括依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，第一型半导体层与所述第二型半导体层的掺杂类型相反，且两个相邻的发光单元之间的相同掺杂类型的半导体层键合电连接，并结合第一型外接电极和第二型外接电极的设置形成并联电连接，使多个发光单元叠层的LED芯片的整体面积与单个发光单元LED芯片的面积的差异相差较小，可减小LED芯片的尺寸，有利于LED芯片的集成封装，还可以在大功率工作环境中使用。