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公开(公告)号：CN114132888B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111479241.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统，包括：固定滤光结构层，在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极（13）、驱动检测电极（12）、下支撑柱（14）、信号输入端（18），在信号输入端上设有导电键合层（16）；可动滤光结构层光刻可动结构（22）、上支撑柱（23），将上支撑柱、下支撑柱键合连接，由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔；盖帽层（30）设有垂直导电柱（31）、导电金属（35）和PAD点（33）；驱动电路芯片（40）联于PAD点（41）。本发明有益效果：将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体，提高了光学占空比，增加了驱动力，提高了滤光系统运行精度及稳定性。
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公开(公告)号：CN118583334A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410815487.2
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，硅压阻式压力传感器芯片由R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥组成，在桥臂电阻R2上并联一个低温漂系数电阻Ra、以及在另一个不相连的桥臂R3上串联低温漂系数电阻Rb，在电桥的输出端分别接入低温度系数电阻R以及正温度系数热敏电阻Rp，以此补偿灵敏度温度漂移本发明提高压力传感器的测量精度，并且在电桥输入端增加可调电压模块，可对电桥输出量进行调整，弥补输出损耗，硬件电路结构简单，补偿效果显著且传感器输出损耗小。
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公开(公告)号：CN116314038A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515862.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/10 , H01P1/00 , H05K1/11 , H05K1/02 , H01L23/04 , H01L23/12 , H01L23/552 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种V波段器件的表贴封装端口与气密封装，它包括基板（1），其特征在于：在基板（1）上设有两层接地金属层（5），在其中一个接地金属层（5）上设有一组芯片（2），在基板（1）内设有一组金属填充柱（6），在每个芯片（2）一侧均连通有共面波导（7）构成V波段端口，在两个芯片（2）通过第二共面波导（8）进行连通，在基板（1）上还连接有上盖。本发明结构简单、有使用方便，可批量生产，可靠性高，适应性强等优点。
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公开(公告)号：CN116295542A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515863.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1在P型硅晶圆上，进行光刻、大剂量磷注入、去胶，形成重掺杂区；S2光刻、按设计要求进行磷注入、去胶，形成压敏电阻；S3光刻、硼注入、去胶，形成P型隔离环结构6；S4退火、氧化，形成绝缘层；S5光刻、刻蚀、去胶，在绝缘层上形成接触孔；S6溅射、光刻、刻蚀、去胶，形成金属引线。本发明步骤简单，实施方便，通过隔离环有效阻断N型压阻传感器与其他功能端口之间电子迁移通道，降低漏电流，提高产品性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN114122243A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111479920.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片，其特征在于：它包括硅衬底（1），在硅衬底（1）上设有支撑层（2），在支撑层（2）上设有一组热电偶层，在热电偶层与支撑层（2）上覆盖有钝化层（6），在硅衬底（1）上还设有空腔（12），相邻的热电偶层之间通过引线（11）连通。本发明具有结构简单、制造方便，在保证芯片响应灵敏度的同时有效减小了芯片和红外吸收支撑薄膜的面积，使红外吸收支撑薄膜的刚度提高，从而提高芯片整体可靠性。
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公开(公告)号：CN105137121B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510661783.2
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种加速度计的制备方法，包括衬底层（13）、电极结构层（1）、可动结构层（14）以及盖帽层（18），包括以下步骤：1，衬底（13）的制作，在双抛硅片光刻及刻蚀形成悬浮电极活动浅腔（2）、衬底层锚点（15）、防粘连凸点（12）；2、SOI硅片与衬底层（13）键合，光刻和刻蚀形成浅腔（11）、中心锚点（5）、防粘连凸点（8）、悬浮电极（4）；3、将SOI硅片与电极结构层键合，经光刻和刻蚀后形成可动结构（10）、可动层锚点（22）;4、盖帽（8）封装。本发明的优点是：热应力对电极结构的影响大幅下降，保证了固支悬浮电极结构的一致性以及重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN103557853B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN104355286A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN114242882B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111479933.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。
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