公开(公告)号：CN100472724C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480028499.1

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 松田司 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  山崎英亮 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属-羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属-羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属-羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。

公开(公告)号：CN100446218C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610149469.7

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。

公开(公告)号：CN119654702A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380058129.5

申请日：2023-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博

IPC: H01L21/302

Abstract: 一种处理方法，是在表面形成有含氧膜和含氮膜的基板中选择性地蚀刻所述含氧膜的处理方法，所述处理方法包括以下工序：使用包含含氟气体和肼系气体的处理气体选择性地使所述含氧膜相对于所述含氮膜改性，来形成氟硅酸铵层；以及通过对所述基板进行加热来去除所述氟硅酸铵层。

公开(公告)号：CN104805416B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510047084.9

申请日：2015-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野裕司 ,  立花光博 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45551

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置于该真空容器内，该旋转台用于将基板载置于在旋转台的一面侧设置的载置区域并使基板公转；处理气体供给部，其用于向基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体；以及加热部，其用于加热所述旋转台，以便将所述基板加热至600℃以上而进行成膜处理。所述处理气体供给部包括：气体喷头，其具有以与所述基板的通过区域相对的方式设置的、多个处理气体的喷射孔；以及冷却机构，其用于在所述成膜处理时将所述气体喷头的与所述通过区域相对的相对部冷却至比所述处理气体的热分解温度低的温度。

公开(公告)号：CN107026080A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710007284.0

申请日：2017-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽田敬子 ,  清水昭贵 ,  长仓幸一 ,  立花光博

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。

公开(公告)号：CN103882408B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310712445.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  池川宽晃 ,  和村有 ,  尾谷宗之 ,  小川淳 ,  高桥宏辅

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。

公开(公告)号：CN102994981B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210337266.6

申请日：2012-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 榎本忠 ,  立花光博 ,  古屋治彦 ,  大下健太郎

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供基板处理装置和成膜装置。基板处理装置具有：处理容器；用于对基板进行气体处理的多个处理区域；旋转台，其将基板载置在其上表面侧并使基板依次通过多个处理区域；反应气体供给用的气体喷嘴；分离区域；排气口；罩构件，其用于使反应气体滞留在气体喷嘴的周围，其包括侧壁部和上壁部，在上述罩构件上，从旋转方向上游侧的侧壁部的下部起设有引导面，该引导面用于将从旋转方向上游侧流动的分离气体向上述罩构件的上方引导，气体喷嘴与旋转方向上游侧的侧壁部之间的间隔是8mm以上。

公开(公告)号：CN104862668A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510087374.6

申请日：2015-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  高畠裕二 ,  本间学

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586

Abstract: 一种基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；以及3个支承销，其在上述凹部的底面上分别位于正三角形的顶点，并分别对与基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承，该支承销是为了以使上述基板自该凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设置的。

公开(公告)号：CN101208458A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023223.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  杉浦正仁 ,  西森崇 ,  佐藤耕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285 ,  H01L21/268

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非品质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。

公开(公告)号：CN1860587A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200480028497.2

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 山崎英亮 ,  松田司 ,  五味淳 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  松泽兴明 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非利 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属－羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。