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公开(公告)号：CN102112653A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130137.6
申请日：2009-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
Abstract: 本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。
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公开(公告)号：CN101421825B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780012765.5
申请日：2007-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C14/14
CPC classification number: C23C14/046 , H01J37/321 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883
Abstract: 公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。
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公开(公告)号：CN101044259B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200580035907.0
申请日：2005-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/3205 , C23C14/14 , H01L23/52 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/2855 , C03C17/09 , C03C2218/153 , C03C2218/33 , C23C14/046 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/32706 , H01J37/34 , H01L21/2885 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。
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公开(公告)号：CN101542016A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000148.8
申请日：2008-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/16
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/28562 , H01L21/76873
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
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公开(公告)号：CN101082125A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102077325B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980124821.3
申请日：2009-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C16/18 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/45523 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，是在可抽真空的处理容器内对在表面具有凹部的被处理体的表面实施成膜处理的成膜方法，其特征在于，包括：使用含过渡金属原料气体通过热处理形成含过渡金属膜的含过渡金属膜形成工序；和形成包含元素周期表的VIII族的元素的金属膜的金属膜形成工序。
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公开(公告)号：CN101082125B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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公开(公告)号：CN101914752B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010244028.1
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/768
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01J37/321 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76844
Abstract: 本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
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公开(公告)号：CN101432459B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780014788.X
申请日：2007-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。
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公开(公告)号：CN101689490B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880022486.1
申请日：2008-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C14/18 , C23C16/045 , C23C16/06 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。
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