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公开(公告)号：CN1767195A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510103842.0
申请日：2005-09-12
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 浅野哲郎
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/60 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05553 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2224/49113 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种保护元件及使用保护元件的半导体装置，在微波FET中，内在的肖特基结电容或pn结电容减小，这些结抗静电弱。但是，在微波器件中，存在连接保护二极管产生的寄生电容的增加导致高频特性恶化，不能使用上述方法的问题。在被保护元件的端子和GND端子之间连接由第一n+型区域－绝缘区域－第二n+型区域构成的保护元件。第一n+型区域柱状设于衬底深度方向，第二n+型区域形成与第一n+型区域的底部相对配置的板状。由此，可通过第一电流路径、第二电流路径使非常大的静电电流流向接地电位，可几乎不使寄生电容增加，而大幅衰减达到HEMT动作区域的静电能量。
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公开(公告)号：CN1716605A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510077884.1
申请日：2005-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 浅野哲郎
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H03K17/693 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、配线和金属层近接的区域，存在在配线中传输的高频信号通过作为电容成分的氮化膜，作为半绝缘衬底上的耗尽层的变化，泄漏到对方的问题。在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或配线和栅极金属层相邻的间隙的区域的衬底上岛状设置浮游杂质区域。浮游杂质区域是浮置电位，遮断从氮化膜上的配线向衬底延伸的耗尽层。因此，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或氮化膜上的配线和金属层相邻的区域，可防止高频信号介由从氮化膜上的配线在衬底上延伸的耗尽层泄漏到对方一侧。
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公开(公告)号：CN1541416A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN02815748.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/095 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/812 , H01L27/0248 , H01L27/0255 , H01L29/808
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以解决以下问题：在微波FET中，内在的肖特基接合或PN结电容小，这些接合对静电防护弱。但是在微波器件中由于连接保护二极管会增加寄生电容，导致高频特性的恶化，所以不能采用该方法。本发明在FET的2个端子间并联连接由第1N+型区域、绝缘区域、第2N+型区域组成的保护元件。可以在接近的第1、第2N+区域间放电，所以可以不增加寄生电容地使到达FET工作区域的静电能量衰减。
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公开(公告)号：CN1519927A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004010.9
申请日：2004-02-04
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L24/05 , H01L29/812 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以解决在微波FET中，内在的肖特基接合电容或pn结电容小，这些接合对静电的防护弱。但是在微波器件中，通过连接保护二极管导致寄生电容增加，带来高频特性恶化而不能采用该方法的问题。本发明的半导体装置并联设置2条从栅极电极焊盘开始到工作区域上的施加电极的路径，1条通过源极电极焊盘附近，另1条通过漏极电极附近，通过在各个接近的部分将保护元件连接在栅极电极－源极电极间、栅极电极－漏极电极间，可以使FET的静电破坏电压从100V左右提高到700V。
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公开(公告)号：CN1497740A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101014.4
申请日：2003-10-10
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L27/095
CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/76283 , H01L21/823481 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/42316 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置，为了使开关电流装置为5GHz，必须设置并联FET，为提高绝缘，栅极电极邻接的FET之间必须确保20um左右的间隔距离。在FET的栅极电极及电极焊盘、配线邻接的其它的FET、栅极金属层、杂质区域之间设置高浓度杂质区域，抑制耗尽层的扩展。在FET的掩膜对位中，使用在源漏极区域上设置的氧化膜提高掩膜对位的精度。即使缩小栅极宽度，也可提高FET的基本性能，在现有同等的特性中，可缩小栅极宽度，可降低FET间的间隔距离，故可实现绝缘提高的5GHz开关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1423325A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02154029.2
申请日：2002-12-06
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15173 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。将一根导线在芯片下环绕其他图形延伸,芯片固定在图形上,将输入端子用电极座连接在从芯片露出的导线上。由此,实现在CSP的组件内RF信号路径实质交叉的电路,实现在用户侧安装时装置的小型化,但由于高频信号路径通过芯片之下,所以绝缘恶化。在芯片与在芯片之下环绕的RF信号路的重叠部分,设置构成高频GND电位的导电图形,屏蔽高频信号。
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公开(公告)号：CN1412857A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02144460.9
申请日：2002-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L27/04 , H03K17/687 , H04B1/04
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19043
Abstract: 一种化合物半导体装置。该装置为了尽可能的减小插入损失(Insertion Loss)采用了加大栅宽度Wg，使FET关电阻减少的设计方法。另外，衬垫与配线层的间隔距离也取20μm以上。在2.4GHz以上的高频带上着眼于省略分路FET确保隔离(Isolation)的设计，到现在为止的FET“开”电阻的减少认为是次要的。亦即，在化合物半导体装置中，开关用FET的栅宽度Wg设定为700μm以下，在其尺寸减少的同时，衬垫及配线层之下设有杂质区域40，并在确保高频信号的耦合和耐压的情况下减少空间，其结果，能大幅减少芯片尺寸。
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公开(公告)号：CN1388585A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02120082.3
申请日：2002-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0605
Abstract: 本发明的课题是作成一种使利用2.4GHz以上的高频带的发送侧FET及接收侧FET具有不同的杂质浓度的沟道区的非对称型的电路。为此,将栅极宽度减小到400微米以减小栅极的电容成分,在两个信号路径之间获得规定的隔离,而且能实现输出所希望的最大线性功率的电路。可是,对失真严格的用户要求来说,功率不足,只控制沟道形成条件,Idss的增加有限。解决方法是:使一个栅极宽度为500微米,并且控制沟道形成条件,从而确保Idss,并确保最大线性输入功率。
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公开(公告)号：CN1378340A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN02119269.3
申请日：2002-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/00
CPC classification number: H01L29/812 , H01L27/0605
Abstract: 在以往的化合物半导体开关电路装置中,为了尽可能减少插入损耗,而采用了增大栅极宽度Wg,降低FET的导通电阻的设计方法。另外,还采用了在栅极宽度为600微米下得到规定的绝缘的方法。但是,以缩短芯片尺寸为目的,将栅极宽度设为400微米时,存在输出功率不足的问题。本发明着眼于在2.4GHz以上的高频带下省略分流FET并确保绝缘的设计,并进一步具有发送侧FET和接收侧FET杂质浓度不同的沟道区域的非对称型电路。由此,将栅极宽度降低至400微米,使栅极的电容成分减少,实现可在两个信号路径之间得到规定的绝缘,且输出必要最大功率的电路。
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公开(公告)号：CN1348218A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01125560.9
申请日：2001-08-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/02 , H04B1/04 , H04B1/44 , H03K17/693
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19043
Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置,原来为了尽可能减小插入损失,采用了将栅极宽度Wg取得大一些、降低FET的导通电阻的方法。此外,还将焊盘和相邻布线层之间的距离取为20μm以上。对2.4GHz以上的高频,设计时着眼于确保隔离度而省去分路FET,使用逆向思维方法,从两方面去考虑过去采用的降低FET的导通电阻的效果。即,在化合物半导体开关电路装置中,将开关用的FET的栅极宽度设定在700μm以下来减小其尺寸,同时,在焊盘周边部设置高浓度区40,用小的空间来确保高频信号的耦合和耐压。结果,可以大幅度缩小芯片的尺寸。
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