一种化合物半导体开关电路装置,原来为了尽可能减小插入损失,采用了将栅极宽度Wg取得大一些、降低FET的导通电阻的方法。此外,还将焊盘和相邻布线层之间的距离取为20μm以上。对2.4GHz以上的高频,设计时着眼于确保隔离度而省去分路FET,使用逆向思维方法,从两方面去考虑过去采用的降低FET的导通电阻的效果。即,在化合物半导体开关电路装置中,将开关用的FET的栅极宽度设定在700μm以下来减小其尺寸,同时,在焊盘周边部设置高浓度区40,用小的空间来确保高频信号的耦合和耐压。结果,可以大幅度缩小芯片的尺寸。