一种半导体装置，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、配线和金属层近接的区域，存在在配线中传输的高频信号通过作为电容成分的氮化膜，作为半绝缘衬底上的耗尽层的变化，泄漏到对方的问题。在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或配线和栅极金属层相邻的间隙的区域的衬底上岛状设置浮游杂质区域。浮游杂质区域是浮置电位，遮断从氮化膜上的配线向衬底延伸的耗尽层。因此，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或氮化膜上的配线和金属层相邻的区域，可防止高频信号介由从氮化膜上的配线在衬底上延伸的耗尽层泄漏到对方一侧。