公开(公告)号：CN1658372A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009364.7

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，谋求可靠性的提高。在形成有焊盘电极53的硅晶片(51)的表面粘接玻璃衬底(56)。其次，形成从硅晶片(51)的背面到达焊盘电极(53)的通孔(81)，同时，形成沿切割线中心DS延伸，且从硅晶片(51)的背面贯通硅晶片(51)的槽(82)。然后，利用含有伴随加热处理的工序的各种工序在硅晶片(51)的背面形成缓冲层(60)、配线层(63)、焊接掩模(65)、焊球(66)。最后，将支承在玻璃衬底(56)上的硅晶片(51)切割成各个硅片(51A)。

公开(公告)号：CN1399325A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02126473.2

申请日：2002-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山下富生 ,  冈山芳央

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种能够准确识别对准标记的位置和最佳形成掩埋布线的半导体器件的制造方法。该方法包括：在半导体器件(11)上淀积绝缘膜(12)，然后刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔(13)和对准标记凹槽(14)。接着，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜(15)。该导电膜被淀积成以使导电膜的厚度(T15)小于对准标记凹槽的深度(T12)并小于对准标记凹槽的最小开口宽度(Wa)的一半。

公开(公告)号：CN101488487B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200810246374.6

申请日：2008-11-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山本哲也 ,  冈山芳央 ,  柳瀬康行

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种元件搭载用基板、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件搭载用基板包括：绝缘树脂层；设置在该绝缘树脂层的一个表面的预定图案的布线层；设置在该布线层的绝缘树脂层侧的表面的突起电极；和覆盖该突起电极的顶部面以及侧面中除了与布线层相连的区域以外且与顶部面连续的区域的覆盖部，该覆盖部由金属层构成。

公开(公告)号：CN101303990B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200810127747.8

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  柳瀬康行

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/4832 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/561 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块的制造方法、半导体模块及便携设备，所述制造方法可以提高在使铜板的突起结构和半导体元件的电极为相向的状态下进行连接时的定位精度的同时，谋求降低半导体模块的制造成本。准备在表面设置半导体元件的电极和图案部的半导体基板。形成具有第一主面及其相反侧的第二主面，并且包括设置在第一主面的突起部和设置在第二主面的沟部的铜板。通过调整铜板的位置使图案部和与其对应的沟部具有规定位置关系来进行突起部和电极的定位，然后经绝缘层压接铜板的第一主面侧和半导体基板，在突起部贯通绝缘层的状态下电连接突起部和电极。在第二主面侧形成规定图案的再布线图案。

公开(公告)号：CN101197338B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710305159.4

申请日：2007-10-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备，其提高半导体模块在电极部的连接可靠性。首先，准备在表面具有电极及保护膜的半导体基板以矩阵状形成的半导体晶片。其次，在半导体晶片(半导体基板)的表面，在半导体基板和在前端部一体形成有含有塑性区域的突起部的铜板(金属板)之间夹持绝缘层。然后，在这样夹持的状态下，使用压力装置进行加压成型，使半导体基板、绝缘层及铜板一体化。由此，突起部贯通绝缘层的同时，前端部的塑性区域在与电极的接触面处发生塑性变形，使突起部和电极电连接。

公开(公告)号：CN101853788A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010155425.1

申请日：2010-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  伊藤克实

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14152 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块的制造方法。该半导体模块通过蚀刻铜板形成突起电极和凹部，在该凹部上直到比突起电极的高度更低的位置形成绝缘树脂层后，压接半导体元件和具备与突起电极一体形成的布线层的铜板，使布线层翘曲而向半导体元件侧凸起，从而可靠地电连接突起电极和元件电极。

公开(公告)号：CN101714531A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910221457.4

申请日：2009-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央 ,  中里真弓

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/482 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/49822 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体模块，其包括元件装载用基板和在其上装载的半导体元件。元件装载用基板包括：绝缘树脂层、在绝缘树脂层的一个主表面S1上设置的布线层、与布线层电连接并从布线层向绝缘树脂层一侧突出的突起电极。半导体元件具有半导体基板和与各个突起电极相对的元件电极。由于在元件电极上设置的金属层的表面具有凹凸形状，所以与绝缘树脂层的粘结性提高。

公开(公告)号：CN101499443A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810191051.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小林初 ,  柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及元件安装用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。该元件安装用基板具有由绝缘性树脂形成的绝缘树脂层；在绝缘树脂层的一主表面S1设置的配线层；与配线层电连接并且从配线层向与绝缘树脂层相反的一侧突出而用于支承低熔点金属球的突起部。配线层以及突起部一体形成。

公开(公告)号：CN100514565C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510084836.5

申请日：2005-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司 ,  日本电气株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 梅本光雄 ,  冈山芳央 ,  谷田一真 ,  寺尾博 ,  根本义彦

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN101231963A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710307782.3

申请日：2007-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈山芳央

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法和便携设备。在将突起结构埋入绝缘层中以将金属板、绝缘层和电路元件层积的半导体模块中，使突起结构和电路元件的电极的连接可靠性提高。准备在表面具有电极和保护膜的半导体基板形成为矩阵状的半导体晶片。接下来，在半导体晶片(半导体基板)的表面，在半导体基板、和一体地形成突起部并且在其附近具有沟槽部的铜板之间夹持绝缘层。在进行这样的夹持之后，通过用加压装置进行加压成形将半导体基板、绝缘层和铜板一体化。由此突起部贯通绝缘层，突起部和电极被电连接。与此同时，被突起部挤出的多余的绝缘层流到沟槽部内。