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公开(公告)号：CN107814817A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710389086.5
申请日：2017-05-27
CPC classification number: H01L21/02178 , C07F5/062 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L27/11582 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L28/90 , H01L29/40117 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , C23C16/303 , C23C16/403 , H01L21/02271
Abstract: 公开铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法。铝化合物由化学式(I)表示并且用作用于形成含铝薄膜的源材料。在化学式(I)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、和R8与说明书中描述的相同。化学式(I)。
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公开(公告)号：CN107578995A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710533807.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/8242
Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。
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公开(公告)号：CN117119790A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310537789.3
申请日：2023-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，设置在基底上；第一下界面膜，设置在下电极上；介电膜，设置在第一下界面膜上；第一上界面膜，设置在介电膜上；以及上电极，设置在第一上界面膜上，其中，第一下界面膜和第一上界面膜中的每个是导电单膜，并且第一下界面膜和第一上界面膜包括相同的金属元素，其中，包括在第一下界面膜和第一上界面膜中的每个中的金属元素的电负性大于包括在介电膜中的金属元素的电负性。
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公开(公告)号：CN116419665A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211634729.5
申请日：2022-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底：下电极，设置在衬底上；至少一个支撑层，与下电极接触；介电层，设置在下电极上；上电极，设置在介电层上；第一界面膜，在下电极与介电层之间；以及第二界面膜，在上电极与介电层之间。第一界面膜和第二界面膜中的至少一个包括多个层，其中该多个层包括第一金属元素和第二金属元素、以及氧和氮中的至少一种。下电极包括第一金属元素。第一界面膜的第一区域包括第一浓度的第二金属元素，并且第一界面膜的第二区域包括与第一浓度不同的第二浓度的第二金属元素。
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公开(公告)号：CN111471068A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911395054.1
申请日：2019-12-30
Abstract: 提供了锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法，所述锡化合物由式1表示，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。[式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107915760A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710899209.X
申请日：2017-09-28
Abstract: 公开有机金属前体、使用其形成层的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述有机金属前体包括：作为中心金属的钨、键合至所述中心金属的环戊二烯基配体、以及第一结构或第二结构，所述第一结构包括键合至所述环戊二烯基配体的烷基甲硅烷基，和所述第二结构包括键合至所述中心金属的烯丙基配体。
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公开(公告)号：CN101800220A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010002113.7
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/31683 , H01L21/318 , H01L27/1085 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法，该半导体器件包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间，其中电介质层包括金属氧化物膜，插入层包括金属材料膜。
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公开(公告)号：CN1234909C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN00131893.4
申请日：2000-10-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C26/00
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/403 , C23C16/409 , C23C16/45525 , C30B25/02 , C30B29/20 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/316 , H01L21/31691
Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法，在这种方法中，在一周期内在基底上形成薄膜，这个周期包括：向装有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体；清除第一反应物，向反应室注入第二反应物；清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜，并防止产生副产品，其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物，清除第二反应物，使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应，来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后，注入第三反应物并被清除，该第三反应物是用于除去杂质，并改善薄膜的化学配比。通过这样做，就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。
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公开(公告)号：CN118042830A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311406000.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底；衬底上的多个下电极；至少一个支撑层，与多个下电极接触；在多个下电极和至少一个支撑层上的介电层；以及介电层上的上电极。多个下电极中的每个下电极可以包括第一下电极和在第一下电极上的第二下电极。至少一个支撑层可以包括与第一下电极的上部区域的侧表面接触的第一支撑层。第二下电极的最上端的水平可以高于第一支撑层的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN107578995B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201710533807.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/67 , H10B12/00
Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。
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