公开(公告)号：CN117015240A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310486458.1

申请日：2023-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡志旼 ,  朴瑛琳 ,  申东珉 ,  林载顺

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种制造电容器的方法以及使用该电容器制造DRAM元件的方法。该制造电容器的方法包括：形成包括第一金属的下电极；形成支撑层图案，支撑层图案将下电极的外侧壁彼此连接；在下电极和支撑层图案上形成第一界面层，第一界面层包括具有导电性的第一金属氧化物；在第一界面层上形成第二界面层，第二界面层包括具有导电性的第二金属氧化物；使第二界面层中包括的第二金属扩散到下电极表面，以在下电极表面上形成至少包括第一金属和第二金属的第一界面结构，其中，第一界面层和第二界面层被转换为第二界面结构；通过蚀刻工艺至少完全去除形成在支撑层图案上的第二界面结构；在第一界面结构和支撑层图案上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。

公开(公告)号：CN117440683A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310866072.3

申请日：2023-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡志旼 ,  朴瑛琳 ,  申东珉 ,  林佑燮

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：下部结构；多个下部电极，所述多个下部电极在所述下部结构上；上部电极，所述上部电极在所述多个下部电极上；电介质层，所述电介质层在所述多个下部电极与所述上部电极之间，并且包括铁电层或反铁电层；以及多个界面层，所述多个界面层在所述多个下部电极与所述电介质层之间，其中，所述多个界面层包括：第一层，所述第一层接触所述多个下部电极，并且包括第一金属元素、不同于所述第一金属元素的第二金属元素和元素氮；以及第二层，所述第二层在所述第一层与所述电介质层之间，并且包括所述第一金属元素、所述第二金属元素和元素氧，其中，所述第一层中的所述第二金属元素的浓度低于所述第二层中的所述第二金属元素的浓度。

公开(公告)号：CN117119790A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310537789.3

申请日：2023-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  林佑燮 ,  蔡志旼 ,  安敞茂 ,  林载顺

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，设置在基底上；第一下界面膜，设置在下电极上；介电膜，设置在第一下界面膜上；第一上界面膜，设置在介电膜上；以及上电极，设置在第一上界面膜上，其中，第一下界面膜和第一上界面膜中的每个是导电单膜，并且第一下界面膜和第一上界面膜包括相同的金属元素，其中，包括在第一下界面膜和第一上界面膜中的每个中的金属元素的电负性大于包括在介电膜中的金属元素的电负性。

公开(公告)号：CN116419665A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211634729.5

申请日：2022-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  蔡志旼 ,  朴赞勋 ,  申东珉 ,  林载顺 ,  全寅铎

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底：下电极，设置在衬底上；至少一个支撑层，与下电极接触；介电层，设置在下电极上；上电极，设置在介电层上；第一界面膜，在下电极与介电层之间；以及第二界面膜，在上电极与介电层之间。第一界面膜和第二界面膜中的至少一个包括多个层，其中该多个层包括第一金属元素和第二金属元素、以及氧和氮中的至少一种。下电极包括第一金属元素。第一界面膜的第一区域包括第一浓度的第二金属元素，并且第一界面膜的第二区域包括与第一浓度不同的第二浓度的第二金属元素。