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公开(公告)号：CN117641893A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311013561.0
申请日：2023-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：下结构；下电极，在下结构上；上电极，覆盖下结构上的下电极；以及介电结构，设置在下电极和上电极之间。介电结构包括：第一介电膜，包括第一材料；以及第二介电膜，包括不同于第一材料的第二材料。第一介电膜包括与下电极接触或面对下电极的第一表面、以及与第一表面相对的第二表面。第二介电膜包括设置在第一介电膜的开口中并在从第二表面朝向第一表面的方向上延伸的第一部分。
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公开(公告)号：CN116411260A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211616325.3
申请日：2022-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/52
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法。该方法包括：提供基板，第一层和第二层形成在基板上，第一层在第一频率下具有最大介电损耗值，第二层在与第一频率不同的第二频率下具有最大介电损耗值；从加热器向基板提供第一频率的波，以将第一层的温度加热到比第二层的温度高；以及在第一层的温度比第二层的温度高时，在加热的第一层上并且不在第二层上形成比第一层薄且比第二层薄的第三层。
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公开(公告)号：CN118555827A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410188695.4
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：下部结构；在下部结构上的电容器，该电容器包括在垂直于下部结构的底表面的方向上延伸的第一底部电极和提供在第一底部电极上的第二底部电极；支撑第一底部电极的底部支撑图案；和提供在底部支撑图案上以支撑第一底部电极的顶部支撑图案。第一底部电极包含第一材料，第二底部电极可以包含第二材料。第二材料的功函数大于第一材料的功函数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117418214A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310713708.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 在沉积层的方法中，将衬底装载到腔室内的衬底台上。将前体气体和反应气体交替地供应到腔室中以形成至少一层原子层。通过对至少一层原子层的表面施加压力以将位于具有相对高曲率的表面上的分子扩散到相对较低曲率的位置，来平滑至少一层原子层的表面。可以继续将前体气体和反应气体交替地供应到腔室中，以在平滑后的原子层上形成另外的原子层。
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公开(公告)号：CN117135916A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310577798.5
申请日：2023-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个下电极，所述多个下电极设置在所述衬底上；至少一个支撑层，所述至少一个支撑层与所述多个下电极接触并且在与所述衬底的上表面平行的方向上延伸；上电极，所述上电极设置在所述多个下电极和所述至少一个支撑层上；电介质层，所述电介质层位于所述多个下电极与所述上电极之间以及位于所述至少一个支撑层与所述上电极之间；以及阻挡层，所述阻挡层设置在所述至少一个支撑层与所述电介质层之间，并且包括带隙能大于所述至少一个支撑层的材料的带隙能的材料。所述电介质层与所述多个下电极接触并且通过所述阻挡层与所述至少一个支撑层间隔开。
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公开(公告)号：CN118042830A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311406000.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底；衬底上的多个下电极；至少一个支撑层，与多个下电极接触；在多个下电极和至少一个支撑层上的介电层；以及介电层上的上电极。多个下电极中的每个下电极可以包括第一下电极和在第一下电极上的第二下电极。至少一个支撑层可以包括与第一下电极的上部区域的侧表面接触的第一支撑层。第二下电极的最上端的水平可以高于第一支撑层的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN117727742A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311198035.6
申请日：2023-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电容器结构包括第一下导电图案、第一电容器、第一上导电图案、第二下导电图案、第二电容器和第二上导电图案。第一电容器包括第一下电极、第一上电极和第一介电结构。每一个第一介电结构设置在第一下电极之一与第一上电极中的对应第一上电极之间。第一上导电图案形成在第一上电极上并且电连接到第一上电极。第二下导电图案与设置在衬底上的第一下导电图案间隔开。第二电容器包括第二下电极、第二上电极和第二介电结构。第二上导电图案形成在第二上电极上并且电连接到第二上电极。第一导电图案和第二导电图案彼此电绝缘。
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公开(公告)号：CN116156880A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211462716.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明的半导体器件可以包括：衬底；栅极结构，在衬底上；电容器接触结构，连接到衬底；下电极，连接到电容器接触结构；支撑部，支撑下电极的侧壁；界面层，覆盖下电极并包括卤素材料；电容器绝缘层，覆盖界面层和支撑部；以及上电极，覆盖电容器绝缘层。界面层可以包括接触下电极的第一表面和接触电容器绝缘层的第二表面。界面层的卤素材料更靠近第一表面而不是更靠近第二表面。
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