公开(公告)号：CN107915760A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710899209.X

申请日：2017-09-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 宜昌佑 ,  金铭云 ,  尹至恩 ,  李刚镛 ,  李相益 ,  林载顺 ,  赵晟佑 ,  曹仑廷

IPC: C07F11/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开有机金属前体、使用其形成层的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述有机金属前体包括：作为中心金属的钨、键合至所述中心金属的环戊二烯基配体、以及第一结构或第二结构，所述第一结构包括键合至所述环戊二烯基配体的烷基甲硅烷基，和所述第二结构包括键合至所述中心金属的烯丙基配体。

公开(公告)号：CN107814817A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710389086.5

申请日：2017-05-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  李圣德 ,  赵晟佑

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02178 ,  C07F5/062 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L28/90 ,  H01L29/40117 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  C23C16/303 ,  C23C16/403 ,  H01L21/02271

Abstract: 公开铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法。铝化合物由化学式(I)表示并且用作用于形成含铝薄膜的源材料。在化学式(I)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、和R8与说明书中描述的相同。化学式(I)。