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公开(公告)号：CN106257696B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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公开(公告)号：CN109768149A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811336654.6
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/124 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58
Abstract: 提供了一种显示设备。该显示设备包括：衬底；被配置为发射光的发光层，所述发光层包括设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层以及设置在有源层上的第二半导体层；以及多个颜色转换层，设置在发光层上并且被配置为根据从发光层发射的光发射特定颜色的光。
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公开(公告)号：CN109256447A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810762765.7
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/24 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2933/0083 , H01L33/44
Abstract: 提供了一种发光器件和一种发光器件封装件。所述发光器件包括：衬底；形成在衬底上的发光结构；在发光结构上的第一透射导电层；形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；填充所述多个开口的第二电介质图案层；以及形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上的反射电极层。
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公开(公告)号：CN103325904B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201310080154.1
申请日：2013-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请公开了一种包括氮化物基半导体全方向反射器的发光装置。该发光装置包括氮化物基反射器和置于所述氮化物基反射器上的发光单元。所述氮化物基反射器包括交替层叠的未掺杂氮化物半导体层和重度掺杂氮化物半导体层。在所述重度掺杂氮化物半导体层的边缘处对其进行蚀刻，以在相邻的未掺杂氮化物半导体层之间形成空气层。
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公开(公告)号：CN106257696A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426988A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310189914.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/405 , Y10S977/762
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN119317142A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410889478.8
申请日：2024-07-04
Applicant: 三星电子株式会社 , 崇实大学校产学协力团
Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。
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公开(公告)号：CN118335852A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410029785.9
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种转移微型半导体芯片的方法和转移结构。该方法包括：提供多个基底转移基板，每个所述基底转移基板包括多个凹槽；在第一底部基板上对准所述多个基底转移基板；在第二底部基板上对准所述多个基底转移基板；通过将微型半导体芯片转移到第一底部基板的基底转移基板来提供目标转移结构；通过将微型半导体芯片转移到第二底部基板的基底转移基板来提供初步转移结构；以及将目标转移结构的基底转移结构当中的未转移微型半导体芯片的错误基底转移结构替换为初步目标转移结构的基底转移结构当中的在其上转移了微型半导体芯片的正常基底转移结构。
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公开(公告)号：CN117199207A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310252105.5
申请日：2023-03-14
Abstract: 提供一种微型芯片，包括具有第一表面和面对第一表面的第二表面的芯片主体、以及在第二表面上的电极层，其中第一表面的表面粗糙度小于电极层的上表面的表面粗糙度，使得第一表面和外部接触表面之间的范德华力大于电极层和外部接触表面之间的范德华力。
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公开(公告)号：CN116110815A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210898505.9
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供一种器件转移基板以及包括该器件转移基板的器件转移结构和显示装置。该器件转移基板包括多个凹槽，其中所述多个凹槽中的每个包括具有第一图形的形状的第一区域和具有第二图形的形状的第二区域，其中第一区域的一部分与第二区域的一部分部分地重叠以形成重叠区域，其中重叠区域在与穿过第一图形的中心和第二图形的中心的直线交叉的方向上的最大宽度小于第一图形的直径或对角线长度并且小于第二图形的直径或对角线长度。
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