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公开(公告)号：CN106257696B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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公开(公告)号：CN106257696A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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公开(公告)号：CN106206862B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610357748.6
申请日：2016-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , F21K9/237 , F21K9/275 , F21S8/026 , F21V23/005 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2224/11
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号：CN106206862A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610357748.6
申请日：2016-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , F21K9/237 , F21K9/275 , F21S8/026 , F21V23/005 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2224/11 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：发光结构，其包括分别提供发光结构的彼此面对的第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及介于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层，第一导电类型的半导体层的一个区朝着第二表面敞开，并且第一表面具有布置于其上的凹凸部分；第一电极和第二电极，它们分别布置在第一导电类型的半导体层的所述一个区和第二导电类型的半导体层的一个区中；透明支承衬底，其布置在第一表面上；以及透明粘合剂层，其布置在发光结构的第一表面与透明支承衬底之间。
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