公开(公告)号：CN118335666A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410039972.5

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  吴映泽 ,  金东均 ,  黄俊式 ,  刘珉哲

IPC: H01L21/677 ,  H01L33/00

Abstract: 提供用于转移微半导体芯片的刮器、装置和方法以及用于收集微半导体芯片的装置和方法，其中所述刮器包括用于吸收用于湿式转移微半导体芯片的液体的吸收体和涂覆在所述吸收体上的保护层。

公开(公告)号：CN119317142A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410889478.8

申请日：2024-07-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  崇实大学校产学协力团

Inventor： 吴映泽 ,  柳建旭 ,  黄京旭 ,  朴昌根 ,  宋相勋 ,  廉旼宰 ,  李圭炯 ,  黄俊式

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D62/824 ,  H10D84/40

Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。

公开(公告)号：CN118335852A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410029785.9

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴映泽 ,  朴俊勇 ,  黄京旭 ,  金东均 ,  金东湖 ,  宋相勋 ,  刘珉哲 ,  黄俊式

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种转移微型半导体芯片的方法和转移结构。该方法包括：提供多个基底转移基板，每个所述基底转移基板包括多个凹槽；在第一底部基板上对准所述多个基底转移基板；在第二底部基板上对准所述多个基底转移基板；通过将微型半导体芯片转移到第一底部基板的基底转移基板来提供目标转移结构；通过将微型半导体芯片转移到第二底部基板的基底转移基板来提供初步转移结构；以及将目标转移结构的基底转移结构当中的未转移微型半导体芯片的错误基底转移结构替换为初步目标转移结构的基底转移结构当中的在其上转移了微型半导体芯片的正常基底转移结构。