公开(公告)号：CN102004254A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010271356.0

申请日：2010-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵桐基 ,  陈暎究

IPC: G01S17/36 ,  G01B11/24

CPC classification number: G01S7/491 ,  G01S17/36 ,  G01S17/89

Abstract: 本发明公开了调制光学飞行时间相位估计中的延迟补偿，其中公开了一种距离测量方法，包括：测量多个调制相位偏移处的多个积分信号；估计分别针对多个调制相位偏移中至少一个调制相位偏移的至少一个积分信号，以相对于针对多个调制相位偏移中另一调制相位偏移的积分信号来调节所述至少一个积分信号的接收时间；以及根据所估计的至少一个信号来确定目标与接收机之间的距离。

公开(公告)号：CN101207136B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710199197.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄在雄 ,  朴奎灿 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  陈暎究 ,  金锡必 ,  赵庆来 ,  李政勋 ,  宋承桓

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。

公开(公告)号：CN101369584A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810134077.2

申请日：2008-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  金锡必 ,  陈暎究 ,  金元柱 ,  柳寅儆 ,  朴允童

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置以及一种制造所述非易失性存储装置的方法，所述非易失性存储装置可具有较高的集成密度、改善的或最佳的结构和/或降低或最小化相邻的单元之间的干扰，并且不使用SOI基底。所述非易失性存储装置可包括：半导体基底，包括主体和从主体突出的一对翅片；埋入绝缘层，填充在所述一对翅片之间；一对浮置栅电极，在所述一对翅片的外表面上并且其高度比所述一对翅片的高度高；控制栅电极，在所述一对浮置栅电极上。

公开(公告)号：CN101325088A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810110171.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  李晟熏 ,  玄在雄 ,  申在光 ,  陈暎究 ,  朴星一 ,  金钟燮

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/16 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法，所述操作方法为可靠地操作可高度集成的非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括在位线和共源线之间的串选择晶体管、多个存储晶体管和地选择晶体管。在非易失性存储装置中，可以通过将擦除电压施加到位线或共源线来从存储晶体管擦除数据。

公开(公告)号：CN101320755A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810086763.7

申请日：2008-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  洪起夏 ,  朴允童 ,  申在光 ,  金锡必

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/0416 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 示例性实施例公开了非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置具有优良的操作性能并可以被制成高度集成的结构。示例性实施例的非易失性存储装置的包括：基底电极；半导体沟道层，在基底电极上；浮置栅电极，在基底电极上，其中，浮置栅电极的一部分面对半导体沟道层；控制栅电极，在浮置栅电极上，其中，在其间发生电荷隧穿的浮置栅电极的一部分和基底电极之间的距离小于半导体沟道层和基底电极之间的距离。

公开(公告)号：CN100421271C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200510076219.0

申请日：2005-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  李晟熏 ,  李孝锡 ,  崔秉龙 ,  金钟燮

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5032 ,  H01L2251/303

Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝发光器件包括形成在衬底上的第一导电层、垂直形成在第一导电层上的多个纳米丝，每一纳米丝具有n型掺杂部分和p型掺杂部分、在n型掺杂部分或p型掺杂部分之间的发光层、填充在分别对应于p型掺杂部分和n型掺杂部分的空间的第一和第二导电有机聚合物，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过向对应的纳米丝表面提供电子或从其接受电子，有机聚和物将对应的纳米丝表面掺杂。

公开(公告)号：CN101114677A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610172731.X

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  薛光洙 ,  陈暎究

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种使用电荷俘获层作为存储节点的非易失半导体存储器装置及其制造方法。该非易失半导体存储器装置包括形成在半导体衬底上的隧穿绝缘层、在隧穿绝缘层上的由掺杂过渡金属的介电层形成的电荷俘获层、形成在电荷俘获层上的阻挡绝缘层和形成在阻挡绝缘层上的栅电极。该介电层是高k介电层，例如HfO2层。因此，非易失半导体存储器装置的数据保持特性能够改善，因为通过向高k介电层掺杂过渡金属而形成了深陷阱。

公开(公告)号：CN1519957A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410007426.6

申请日：2004-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银京 ,  崔秉龙 ,  安弼洙 ,  金俊永 ,  陈暎究

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G01Q80/00 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种制造硅光电器件的方法、由该方法制造的硅光电器件以及包含该硅光电器件的图像输入和/或输出设备。该方法包括准备n或p型硅基衬底，通过蚀刻沿衬底表面形成微缺陷图形，在微缺陷图形上形成具有开口的控制薄膜，以及在具有微缺陷图形的衬底表面上以如下方式形成掺杂区域，通过控制薄膜的开口将与衬底相反类型的预定杂质注入到衬底中并掺杂到一定深度，以便通过p－n结中的量子限制效应产生引起光发射和/或接收的光电转换效应。该硅光电器件具有优越的发光效率，至少可以作为光发射器件和光接收器件之一使用，并且具有高的波长选择性。

公开(公告)号：CN111668245B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202010149238.6

申请日：2020-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  权容铉 ,  金永灿 ,  金世英 ,  徐圣永 ,  林茂燮 ,  郑泰燮 ,  崔成浩

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/76

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。

公开(公告)号：CN110708483B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201910178164.6

申请日：2019-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  金永灿 ,  郑泰燮

IPC: H04N25/70 ,  G01S17/08 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：单元像素，在单元像素中，彼此相邻的第一单元像素和第二单元像素均包括：第一抽头，具有第一光栅极，第一抽头施加有相对于光学信号具有第一相位差的第一信号；以及第二抽头，具有第二光栅极，第二抽头施加有相对于所述光学信号具有第二相位差的第二信号。第一单元像素中的第一抽头的位置和第二单元像素中的第一抽头的位置以及第一单元像素中的第二抽头的位置和第二单元像素中的第二抽头的位置基于第一单元像素与第二单元像素之间的一点或一条直线彼此对称。