公开(公告)号：CN1519957A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410007426.6

申请日：2004-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银京 ,  崔秉龙 ,  安弼洙 ,  金俊永 ,  陈暎究

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G01Q80/00 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种制造硅光电器件的方法、由该方法制造的硅光电器件以及包含该硅光电器件的图像输入和/或输出设备。该方法包括准备n或p型硅基衬底，通过蚀刻沿衬底表面形成微缺陷图形，在微缺陷图形上形成具有开口的控制薄膜，以及在具有微缺陷图形的衬底表面上以如下方式形成掺杂区域，通过控制薄膜的开口将与衬底相反类型的预定杂质注入到衬底中并掺杂到一定深度，以便通过p－n结中的量子限制效应产生引起光发射和/或接收的光电转换效应。该硅光电器件具有优越的发光效率，至少可以作为光发射器件和光接收器件之一使用，并且具有高的波长选择性。

公开(公告)号：CN100346486C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410007426.6

申请日：2004-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银京 ,  崔秉龙 ,  安弼洙 ,  金俊永 ,  陈暎究

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G01Q80/00 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种制造硅光电器件的方法、由该方法制造的硅光电器件以及包含该硅光电器件的图像输入和/或输出设备。该方法包括准备n或p型硅基衬底，通过蚀刻沿衬底表面形成微缺陷图形，在微缺陷图形上形成具有开口的控制薄膜，以及在具有微缺陷图形的衬底表面上以如下方式形成掺杂区域，通过控制薄膜的开口将与衬底相反类型的预定杂质注入到衬底中并掺杂到一定深度，以便通过p-n结中的量子限制效应产生引起光发射和/或接收的光电转换效应。该硅光电器件具有优越的发光效率，至少可以作为光发射器件和光接收器件之一使用，并且具有高的波长选择性。