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公开(公告)号：CN102104072A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010227417.3
申请日：2010-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。
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公开(公告)号：CN118335771A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311554518.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件、制造其的方法和各自包括该半导体器件的电子元件和电子装置。该半导体器件可以包括衬底、在衬底上的沟道层、分别在沟道层的两个相反端上并彼此间隔开的第一电极和第二电极、在沟道层上并与第一电极和第二电极间隔开的栅电极、提供在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘材料、以及硫族化合物层，硫族化合物层在栅极绝缘材料和沟道层之间、第一电极和沟道层之间以及第二电极和沟道层之间中的至少之一。
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公开(公告)号：CN118112881A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310972633.8
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。一种光掩模制造方法包括：对设计图案执行光学邻近校正(OPC)以生成校正图案；以及制造具有所述校正图案的所述光掩模。执行所述OPC的步骤包括：将所述设计图案划分为多个区段；为所述多个区段中的每个区段产生哈希值；以及通过将第一校正偏移应用于所述多个区段中具有相同哈希值的区段来生成所述校正图案，其中，所述多个区段中的至少两个区段具有相同哈希值。产生所述哈希值的步骤包括：生成目标区段的关键区段；在所述关键区段周围创建查询区域；以及基于所述查询区域中的图案图像为所述目标区段产生所述哈希值。
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公开(公告)号：CN116300298A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211490762.5
申请日：2022-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213 , G03F1/84
Abstract: 提供了一种使用曲线光学邻近校正(OPC)方法来制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：对布局执行OPC步骤以生成校正图案，校正图案具有曲线形状；对校正图案执行掩模规则检查(MRC)步骤以生成掩模数据；以及使用基于掩模数据制造的光掩模在基板上形成光致抗蚀剂图案。MRC步骤包括：在校正图案中生成宽度骨架；从宽度骨架生成宽度轮廓，该宽度轮廓满足掩模规则的用于线宽的规格；以及将校正图案和宽度轮廓相加以生成调整图案。
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公开(公告)号：CN115701863A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202210566242.1
申请日：2022-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/27 , G06N20/00 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种电子设备的操作方法，该操作方法包括：接收用于制造半导体器件的设计布局；通过执行基于机器学习的工艺邻近校正(PPC)来生成第一布局；通过执行光学邻近校正(OPC)来生成第二布局；以及输出第二布局以用于半导体工艺。生成第一布局包括：通过对设计布局执行基于机器学习的工艺邻近校正模块来生成第一清洁后检查(ACI)布局；通过基于第一清洁后检查布局与设计布局之间的差异调整设计布局并且对调整后的布局执行工艺邻近校正模块来生成第二清洁后检查布局；以及当第二清洁后检查布局与设计布局之间的差异小于或等于阈值时，输出调整后的布局作为第一布局。
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公开(公告)号：CN114551719A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111419151.7
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。
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公开(公告)号：CN113690315A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110256187.1
申请日：2021-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体晶体管，该氧化物半导体晶体管包括：包括沟槽的绝缘基板；在沟槽中的栅电极；在绝缘基板的表面上的氧化物半导体层，该表面通过沟槽暴露；以及在栅电极和氧化物半导体层之间的铁电层，其中氧化物半导体层可以包括源极区和漏极区，源极区和漏极区在绝缘基板上在沟槽外部并且彼此隔开，其中栅电极在源极区和漏极区之间。
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公开(公告)号：CN112582539A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011060074.6
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件。本文中公开了薄膜结构体，其包括在包括多个层的介电层上的第一导电层。所述多个层各自包括包含掺杂剂A的掺杂剂层和HfO2层以形成化合物HfxA1‑xOz(0
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公开(公告)号：CN102544032B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110167180.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。
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