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公开(公告)号:CN115701863A
公开(公告)日:2023-02-14
申请号:CN202210566242.1
申请日:2022-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/27 , G06N20/00 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种电子设备的操作方法,该操作方法包括:接收用于制造半导体器件的设计布局;通过执行基于机器学习的工艺邻近校正(PPC)来生成第一布局;通过执行光学邻近校正(OPC)来生成第二布局;以及输出第二布局以用于半导体工艺。生成第一布局包括:通过对设计布局执行基于机器学习的工艺邻近校正模块来生成第一清洁后检查(ACI)布局;通过基于第一清洁后检查布局与设计布局之间的差异调整设计布局并且对调整后的布局执行工艺邻近校正模块来生成第二清洁后检查布局;以及当第二清洁后检查布局与设计布局之间的差异小于或等于阈值时,输出调整后的布局作为第一布局。
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公开(公告)号:CN118859624A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410515142.5
申请日:2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于半导体器件的布局校正方法以及使用该布局校正方法的掩模制造方法。布局校正方法包括:接收至少包括目标层和参考层的设计布局;检测目标层中构成目标图案的目标边缘,并检测参考层中构成参考图案的参考边缘;在与三个或更多个参考边缘相交的目标边缘上的与参考图案之间的空间交叉的区段中确定分割点;生成分段,其中,生成分段包括基于分割点来分割与三个或更多个参考边缘相交的目标边缘;在分段当中的与参考图案相交的分段上的与该参考图案交叉的区段的中间点处设置评估点;通过将在评估点处测量的特征输入到布局校正模型来确定其上设置有评估点的分段的移动量;以及通过基于移动量移动其上设置有评估点的分段来生成经校正的布局。
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公开(公告)号:CN116894811A
公开(公告)日:2023-10-17
申请号:CN202310338382.8
申请日:2023-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种工艺邻近校正方法和用于其的计算装置。所述工艺邻近校正方法包括:接收包括第一区域至第m区域的第一布局,其中,所述第一区域至所述第m区域分别包括第一图案至第m图案;以及通过基于所述第一图案至所述第m图案的第一特征至第n特征执行基于机器学习的工艺邻近校正来生成第二布局。在这里,m是等于或大于3的自然数,并且n是大于或等于2的自然数。
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