-
公开(公告)号：CN116266407A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211448639.7
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V30/422 , G06V10/82 , G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 一种半导体器件图案化方法包括：通过对关于样本的图案的信息进行成像来生成输入图像；在关于所述样本进行预设半导体工艺之后获取所述样本的所述图案的输出图像；通过用所述输入图像和所述输出图像使用深度神经网络(DNN)学习来生成预测模型；以及通过使用所述预测模型来针对半导体器件的图案预测所述半导体工艺之后的图案图像。
-
公开(公告)号：CN113223977A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110022696.8
申请日：2021-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成下模制件，下模制件具有堆叠在基底上的下层和穿过下层的下沟道结构；形成上模制件，上模制件包括堆叠在下模制件上的上层和穿过上层的上沟道结构；去除上模制件以使下模制件的上表面暴露；从捕获下模制件的上表面的原始图像分离其中显示上沟道结构的迹线的上原始图像与其中显示下沟道结构的下原始图像；将上原始图像输入到学习神经网络中以获取其中显示上沟道结构的剖面的上恢复图像；以及将上恢复图像与下原始图像进行比较以验证上模制件和下模制件的对准状态。
-
公开(公告)号：CN117222228A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310593921.2
申请日：2023-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件可以包括：堆叠件，所述堆叠件位于衬底上，在第一方向上延伸，并且包括垂直地堆叠在所述衬底上的电极；串选择线，所述串选择线位于所述堆叠件上，平行于所述第一方向延伸，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；上分隔图案，所述上分隔图案位于所述堆叠件上，在所述第一方向上延伸，并且位于所述串选择线之间；下垂直结构，所述下垂直结构位于所述堆叠件中；以及上垂直结构，所述上垂直结构位于所述串选择线中并且分别电连接到所述下垂直结构。
-
公开(公告)号：CN116432744A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211579875.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/094 , G06N3/0464 , G06N3/0475 , G06T3/60
Abstract: 公开了一种训练半导体处理图像生成器的方法。所述训练半导体处理图像生成器的方法包括：用包括第一组和第二组的多个掩模图像来训练所述半导体处理图像生成器；用所述第二组和通过对所述第一组应用变换而获得的第一变换组来训练所述半导体处理图像生成器；以及用所述第一组和通过对所述第二组应用变换而获得的第二变换组来训练所述半导体处理图像生成器。
-
公开(公告)号：CN119670681A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410949734.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/398 , G03F1/36 , G06F30/392 , G06N3/045 , G06N3/096 , G06N5/04 , G06F111/08
Abstract: 公开支持半导体装置的制造的电子装置和电子装置的操作方法。所述电子装置包括处理器并且支持半导体装置的制造。所述操作方法包括：在半导体装置被制造之后，在处理器处接收用于半导体装置的制造的布局数据、布局数据的特征数据和偏斜数据；在处理器处，通过使用深度学习模块，基于布局数据和特征数据来推断布局数据的图案和/或边缘中的每个的偏斜的中心和分布；在处理器处，基于偏斜数据根据所述偏斜的中心和分布来计算损失；以及在处理器处基于损失来训练深度学习模块，并且布局数据、特征数据和偏斜数据被格式化为表格数据。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN116719206A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310134128.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明构思提供了一种基于深度学习的光学邻近校正(OPC)图案的拐角倒圆方法，通过该方法可以确保图案化的可靠性，以及一种包括该拐角倒圆方法的OPC方法和掩模制造方法。该基于深度学习的OPC图案的拐角倒圆方法包括：获得晶片上的光阻(PR)图案或蚀刻图案的轮廓；获得与轮廓相对应的PR图案或蚀刻图案的正方形布局；利用正方形布局和轮廓通过深度学习生成变换模型；以及通过使用变换模型获得关于正方形布局目标的倒圆布局目标。
-
公开(公告)号：CN118942506A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410041381.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408
Abstract: 提供了存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括分别连接到第一字线至第四字线的第一存储器单元至第四存储器单元；感测放大器，包括第一感测电路，第一感测电路被配置为响应于第一字线和第三字线在第一时间点的激活，基于存储在第一存储器单元中的第一权重和存储在第三存储器单元中的第二权重来生成第一加权和；输入和输出电路，被配置为响应于第一读取命令将第一加权和输出到外部装置；以及恢复电路，被配置为在第一时间点之后执行用于将存储在第二存储器单元中的第一数据项存储到第一存储器单元并且用于将存储在第四存储器单元中的第二数据项存储到第三存储器单元的恢复操作。
-
公开(公告)号：CN115701863A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202210566242.1
申请日：2022-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/27 , G06N20/00 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种电子设备的操作方法，该操作方法包括：接收用于制造半导体器件的设计布局；通过执行基于机器学习的工艺邻近校正(PPC)来生成第一布局；通过执行光学邻近校正(OPC)来生成第二布局；以及输出第二布局以用于半导体工艺。生成第一布局包括：通过对设计布局执行基于机器学习的工艺邻近校正模块来生成第一清洁后检查(ACI)布局；通过基于第一清洁后检查布局与设计布局之间的差异调整设计布局并且对调整后的布局执行工艺邻近校正模块来生成第二清洁后检查布局；以及当第二清洁后检查布局与设计布局之间的差异小于或等于阈值时，输出调整后的布局作为第一布局。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.021 seconds)
