公开(公告)号：CN113223977A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110022696.8

申请日：2021-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  姜旻澈 ,  姜奉秀 ,  李智庸

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成下模制件，下模制件具有堆叠在基底上的下层和穿过下层的下沟道结构；形成上模制件，上模制件包括堆叠在下模制件上的上层和穿过上层的上沟道结构；去除上模制件以使下模制件的上表面暴露；从捕获下模制件的上表面的原始图像分离其中显示上沟道结构的迹线的上原始图像与其中显示下沟道结构的下原始图像；将上原始图像输入到学习神经网络中以获取其中显示上沟道结构的剖面的上恢复图像；以及将上恢复图像与下原始图像进行比较以验证上模制件和下模制件的对准状态。

公开(公告)号：CN115701863A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202210566242.1

申请日：2022-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  金东澔 ,  金尚昱 ,  金正民 ,  梁承薰 ,  李智庸 ,  林昌默 ,  许洋宇

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F30/27 ,  G06N20/00 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了一种电子设备的操作方法，该操作方法包括：接收用于制造半导体器件的设计布局；通过执行基于机器学习的工艺邻近校正(PPC)来生成第一布局；通过执行光学邻近校正(OPC)来生成第二布局；以及输出第二布局以用于半导体工艺。生成第一布局包括：通过对设计布局执行基于机器学习的工艺邻近校正模块来生成第一清洁后检查(ACI)布局；通过基于第一清洁后检查布局与设计布局之间的差异调整设计布局并且对调整后的布局执行工艺邻近校正模块来生成第二清洁后检查布局；以及当第二清洁后检查布局与设计布局之间的差异小于或等于阈值时，输出调整后的布局作为第一布局。

公开(公告)号：CN116894811A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310338382.8

申请日：2023-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李智庸 ,  李洙龙 ,  许洋宇

IPC: G06T7/00 ,  G06N20/00 ,  G06V10/40 ,  G06V10/764 ,  G06N5/04 ,  G06Q10/04

Abstract: 提供了一种工艺邻近校正方法和用于其的计算装置。所述工艺邻近校正方法包括：接收包括第一区域至第m区域的第一布局，其中，所述第一区域至所述第m区域分别包括第一图案至第m图案；以及通过基于所述第一图案至所述第m图案的第一特征至第n特征执行基于机器学习的工艺邻近校正来生成第二布局。在这里，m是等于或大于3的自然数，并且n是大于或等于2的自然数。