公开(公告)号：CN112684659A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011072242.3

申请日：2020-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎斌 ,  金尚昱

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种设计图案的布局的方法、使用其形成图案的方法、和制造半导体器件的方法。在一旋转方向上旋转原始图案的布局以形成旋转图案的布局。将旋转图案的布局的顶点和分割点与参考点中离其最近的参考点匹配，并连接匹配的参考点，以形成第一修改图案的布局。放大第一修改图案的布局的区域，以形成第二修改图案的布局。形成具有与旋转图案的布局相同的方向的参考图案的布局。基于参考图案和第二修改图案的布局重叠的区域，形成目标图案的布局。对目标图案的布局执行光学邻近校正，以形成第三修改图案的布局，将第三修改图案的布局在相反的旋转方向上旋转以形成最终图案的布局。

公开(公告)号：CN116300322A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211144748.X

申请日：2022-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎斌

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括对布图的设计图案执行光学邻近校正(OPC)，并且使用基于通过OPC校正的布图制造的光掩模在基底上形成光致抗蚀剂图案。执行OPC包括：针对设计图案生成目标图案；将设计图案划分为多个区段；修改区段以生成校正图案；将区段中的第一区段划分为多个子区段；以及修改子区段以生成精细校正图案。

公开(公告)号：CN118112881A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310972633.8

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴兴锡 ,  金周炳 ,  金尚昱 ,  李熙俊 ,  郑芝银 ,  韩奎斌

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。一种光掩模制造方法包括：对设计图案执行光学邻近校正(OPC)以生成校正图案；以及制造具有所述校正图案的所述光掩模。执行所述OPC的步骤包括：将所述设计图案划分为多个区段；为所述多个区段中的每个区段产生哈希值；以及通过将第一校正偏移应用于所述多个区段中具有相同哈希值的区段来生成所述校正图案，其中，所述多个区段中的至少两个区段具有相同哈希值。产生所述哈希值的步骤包括：生成目标区段的关键区段；在所述关键区段周围创建查询区域；以及基于所述查询区域中的图案图像为所述目标区段产生所述哈希值。

公开(公告)号：CN116300298A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211490762.5

申请日：2022-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴兴锡 ,  韩奎斌 ,  金尚昱

IPC: G03F1/36 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  G03F1/84

Abstract: 提供了一种使用曲线光学邻近校正(OPC)方法来制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：对布局执行OPC步骤以生成校正图案，校正图案具有曲线形状；对校正图案执行掩模规则检查(MRC)步骤以生成掩模数据；以及使用基于掩模数据制造的光掩模在基板上形成光致抗蚀剂图案。MRC步骤包括：在校正图案中生成宽度骨架；从宽度骨架生成宽度轮廓，该宽度轮廓满足掩模规则的用于线宽的规格；以及将校正图案和宽度轮廓相加以生成调整图案。