生成曲线SRAF的方法、验证MRC的方法和制造掩模的方法

    公开(公告)号:CN116243553A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202211144862.2

    申请日:2022-09-20

    Abstract: 公开了一种生成曲线亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法、一种用于对该曲线SRAF进行简单MRC验证的MRC验证方法以及一种包括生成该曲线SRAF的方法的掩模制造方法,该生成该曲线SRAF的方法能够容易地生成满足掩模规则检查(MRC)条件的曲线SRAF。该生成该曲线SRAF的方法包括:生成与主要特征相对应的用于生成该曲线SRAF的曲线轴;在该曲线轴的线上生成曲线点;以及基于该曲线点生成该曲线SRAF。

    全芯片单元临界尺寸校正方法及使用其制造掩模的方法

    公开(公告)号:CN116203789A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211512515.0

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 提供了一种全芯片单元临界尺寸(CD)校正方法以及通过使用该方法制造掩模的方法。全芯片单元CD校正方法包括:接收关于全曝光的数据库(DB);分析DB的层次;通过使用DB生成全芯片的密度图,并将该密度图转换为重定向规则表,该转换包括通过使用密度规则映射密度图;将全芯片的单元块重新配置为用于光学邻近校正(OPC)的OPC目标单元布局;基于重定向规则表将第一偏置应用于OPC目标单元布局;以及通过执行分层OPC生成用于全芯片的经光学邻近校正的(经OPC的)布局。

    制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN118112881A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202310972633.8

    申请日:2023-08-03

    Abstract: 提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。一种光掩模制造方法包括:对设计图案执行光学邻近校正(OPC)以生成校正图案;以及制造具有所述校正图案的所述光掩模。执行所述OPC的步骤包括:将所述设计图案划分为多个区段;为所述多个区段中的每个区段产生哈希值;以及通过将第一校正偏移应用于所述多个区段中具有相同哈希值的区段来生成所述校正图案,其中,所述多个区段中的至少两个区段具有相同哈希值。产生所述哈希值的步骤包括:生成目标区段的关键区段;在所述关键区段周围创建查询区域;以及基于所述查询区域中的图案图像为所述目标区段产生所述哈希值。

    光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法

    公开(公告)号:CN119225111A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202410290458.9

    申请日:2024-03-14

    Abstract: 公开了光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法。所述半导体制作方法包括:对布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局;以及通过使用用所述校正后的布局制造的光掩模来在衬底上形成光刻胶图案。执行所述光学邻近校正包括:在所述设计图案的轮廓上生成形状点;产生所述形状点的散列值;选择代表第一形状点的第一独特形状点;确定所述第一独特形状点的第一校正偏置;以及通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案。产生所述散列值包括:生成目标形状点周围的查询范围;以及基于所述查询范围内的几何分析,产生所述散列值。

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