公开(公告)号：CN118519314A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311841570.9

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李熙俊 ,  曹宇镛 ,  贝拉姆·耶尼卡亚 ,  金周炳 ,  金禹成

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  G06T7/13

Abstract: 提供了能够解决图案化的限制并改善图案化的可靠性的光学邻近校正(OPC)方法以及使用该OPC方法的掩模制造方法。在该OPC方法中，创建用于目标图案的矩形掩模布局，将矩形掩模布局的边缘分割成多个分段，创建第一形状可变点，以及通过将第一形状可变点移动到圆化目标图案上来创建第二形状可变点。此后，基于第二形状可变点来创建曲线掩模布局，基于曲线掩模布局提取轮廓，确定边缘放置误差(EPE)，以及根据预定标准重复所述操作，从而实现具有最小EPE的掩模布局。

公开(公告)号：CN114063383A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110355528.0

申请日：2021-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金禹成 ,  姜旻澈 ,  沈宇宙

IPC: G03F1/70

Abstract: 本文提供了形成掩模的方法、准确并快速地将掩模上的图像恢复为掩模上的形状的方法、以及使用形成掩模的方法的掩模制造方法。形成掩模的方法包括：通过对掩模上与晶片上的第一图案相对应的形状执行栅格化和图像校正来获得第一图像；通过对掩模上的形状进行变换来获得第二图像；基于第一图像中的一个第一图像与第二图像中的一个第二图像之间的变换关系执行深度学习，其中第二图像对应于所述第一图像；以及基于深度学习，在掩模上形成与晶片上的目标图案相对应的目标形状。基于掩模上的目标形状来制造掩模。

公开(公告)号：CN119225111A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410290458.9

申请日：2024-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹宇镛 ,  姜勋 ,  金尚昱 ,  金禹成 ,  吴兴锡 ,  李熙俊 ,  郑芝银

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 公开了光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法。所述半导体制作方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局；以及通过使用用所述校正后的布局制造的光掩模来在衬底上形成光刻胶图案。执行所述光学邻近校正包括：在所述设计图案的轮廓上生成形状点；产生所述形状点的散列值；选择代表第一形状点的第一独特形状点；确定所述第一独特形状点的第一校正偏置；以及通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案。产生所述散列值包括：生成目标形状点周围的查询范围；以及基于所述查询范围内的几何分析，产生所述散列值。

公开(公告)号：CN116243553A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211144862.2

申请日：2022-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹宇镛 ,  金禹成 ,  李熙俊

IPC: G03F1/36

Abstract: 公开了一种生成曲线亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法、一种用于对该曲线SRAF进行简单MRC验证的MRC验证方法以及一种包括生成该曲线SRAF的方法的掩模制造方法，该生成该曲线SRAF的方法能够容易地生成满足掩模规则检查(MRC)条件的曲线SRAF。该生成该曲线SRAF的方法包括：生成与主要特征相对应的用于生成该曲线SRAF的曲线轴；在该曲线轴的线上生成曲线点；以及基于该曲线点生成该曲线SRAF。

公开(公告)号：CN116027638A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211310902.6

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金禹成 ,  巴伊拉姆·耶尼卡亚 ,  明迪·李 ,  周欣 ,  李熙俊 ,  曹宇镛

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了一种用于制造半导体装置的电子装置的操作方法。该操作方法包括：接收半导体装置的布局图像；通过基于布局图像的主要特征生成辅助特征来生成中间图像；通过基于中间图像执行仿真来评估处理结果；以及通过基于处理结果校正中间图像的主要特征的形状和/或辅助特征的形状来校正中间图像。