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公开(公告)号:CN114388380A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202111170392.2
申请日:2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L21/66
Abstract: 公开了一种晶片缺陷推断系统,其包括处理电路,该处理电路被配置为:组合第一图像和第二图像以生成组合图像,第一图像包括在半导体晶片上形成的电路图案的成像,并且第二图像包括用于在半导体晶片上实现电路图案的掩模的布局图像的成像;基于组合图像,通过执行机器学习来推断与在半导体晶片上形成的电路图案相关联的缺陷;并且基于机器学习生成包括关于缺陷的信息的输出图像。
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公开(公告)号:CN114063383A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202110355528.0
申请日:2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/70
Abstract: 本文提供了形成掩模的方法、准确并快速地将掩模上的图像恢复为掩模上的形状的方法、以及使用形成掩模的方法的掩模制造方法。形成掩模的方法包括:通过对掩模上与晶片上的第一图案相对应的形状执行栅格化和图像校正来获得第一图像;通过对掩模上的形状进行变换来获得第二图像;基于第一图像中的一个第一图像与第二图像中的一个第二图像之间的变换关系执行深度学习,其中第二图像对应于所述第一图像;以及基于深度学习,在掩模上形成与晶片上的目标图案相对应的目标形状。基于掩模上的目标形状来制造掩模。
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