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公开(公告)号：CN119225111A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410290458.9
申请日：2024-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法。所述半导体制作方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局；以及通过使用用所述校正后的布局制造的光掩模来在衬底上形成光刻胶图案。执行所述光学邻近校正包括：在所述设计图案的轮廓上生成形状点；产生所述形状点的散列值；选择代表第一形状点的第一独特形状点；确定所述第一独特形状点的第一校正偏置；以及通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案。产生所述散列值包括：生成目标形状点周围的查询范围；以及基于所述查询范围内的几何分析，产生所述散列值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115079507A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111650279.4
申请日：2021-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思提供了随机预测系统、提供该随机预测系统的方法和制造极紫外光掩模的方法。所述提供随机预测系统的方法包括：分别从多个扫描电子显微镜(SEM)图像提取与第一设计布局对应的图案的轮廓；基于所述轮廓生成第一轮廓直方图图像；以及通过使用所述第一轮廓直方图图像作为输出并且通过使用所述第一设计布局以及与所述第一设计布局对应的第一抗蚀剂图像、第一航摄图像、第一斜率图、第一密度图和/或第一光子图作为输入来训练随机预测模型，其中，所述随机预测模型包括循环生成对抗网络(GAN)。
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公开(公告)号：CN119148459A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410174273.1
申请日：2024-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正(OPC)；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在衬底上形成光刻胶图案。执行OPC包括：分析单元层级以选择布局中的代表性单元；将代表性单元中的设计图案划分为包括第一片段的多个片段；从多个片段中选择代表第一片段的第一独特片段；生成第一独特片段的第一校正偏置；将第一校正偏置应用于所有的第一片段以生成校正图案；以及将代表性单元的校正结果应用于包括在布局中并且与代表性单元具有相同类型的其他单元。
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公开(公告)号：CN118519314A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311841570.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了能够解决图案化的限制并改善图案化的可靠性的光学邻近校正(OPC)方法以及使用该OPC方法的掩模制造方法。在该OPC方法中，创建用于目标图案的矩形掩模布局，将矩形掩模布局的边缘分割成多个分段，创建第一形状可变点，以及通过将第一形状可变点移动到圆化目标图案上来创建第二形状可变点。此后，基于第二形状可变点来创建曲线掩模布局，基于曲线掩模布局提取轮廓，确定边缘放置误差(EPE)，以及根据预定标准重复所述操作，从而实现具有最小EPE的掩模布局。
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公开(公告)号：CN116243553A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211144862.2
申请日：2022-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/36
Abstract: 公开了一种生成曲线亚分辨率辅助特征(SRAF)的方法、一种用于对该曲线SRAF进行简单MRC验证的MRC验证方法以及一种包括生成该曲线SRAF的方法的掩模制造方法，该生成该曲线SRAF的方法能够容易地生成满足掩模规则检查(MRC)条件的曲线SRAF。该生成该曲线SRAF的方法包括：生成与主要特征相对应的用于生成该曲线SRAF的曲线轴；在该曲线轴的线上生成曲线点；以及基于该曲线点生成该曲线SRAF。
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