公开(公告)号：CN114582865A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110912217.X

申请日：2021-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴鲁英 ,  裵东一 ,  朴范琎

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上，并且包括一对第一源极/漏极图案和第一沟道图案，第一沟道图案包括第一半导体图案；第二有源图案，在第二区域上，并且包括一对第二源极/漏极图案和第二沟道图案，第二沟道图案包括第二半导体图案；支撑图案，在两个垂直相邻的第一半导体图案之间；以及第一栅电极和第二栅电极，在第一沟道图案和第二沟道图案上。第一沟道图案的沟道长度比第二沟道图案的沟道长度大。支撑图案的宽度与第一沟道图案的沟道长度的比率在0.05至0.2的范围内。

公开(公告)号：CN113497035A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011342115.0

申请日：2020-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐凤锡 ,  金大元 ,  朴范琎 ,  朴硕炯 ,  朴星一 ,  申在训 ,  杨奉燮 ,  刘庭均 ,  李在润

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区，限定在衬底上；第一栅电极，跨第一有源区；第一漏区，在第一有源区中与第一栅电极相邻的位置处；底切区域，在第一有源区与第一栅电极之间；以及第一栅间隔物，在第一栅电极的侧表面上并延伸到底切区域中。

公开(公告)号：CN109801913A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811374372.5

申请日：2018-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  朴范琎 ,  宋升珉 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括多个沟道、栅极结构和源极/漏极层。多个沟道分别设置在多个水平面处，并在衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开。栅极结构设置在衬底上，至少部分地围绕每个沟道的表面，并在基本上平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。源极/漏极层设置在栅极结构的在第二方向上的相反两侧的每个处并且连接到沟道的侧壁，该第二方向基本上平行于衬底的上表面并基本上垂直于第一方向。栅极结构在第二方向上的长度在从衬底的上表面起在垂直方向上的第一高度处沿着第一方向变化。

公开(公告)号：CN108538836A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810158997.1

申请日：2018-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  朴范琎 ,  李允逸 ,  刘庭均 ,  李东勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种垂直晶体管结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括连接到第二晶体管的第二上电极的第一下电极以及连接到第二晶体管的第二下电极的第一上电极。第一晶体管还包括连接到第二晶体管的栅电极的栅电极。

公开(公告)号：CN119069511A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410507201.4

申请日：2024-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永权 ,  姜明吉 ,  金珍圭 ,  金洞院 ,  朴范琎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/732 ,  H01L27/082

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：至少一个阱区，在衬底中并且具有第一导电类型；杂质注入区，在阱区中并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并且沿第一方向布置；第一鳍结构，在杂质注入区上并且具有第二导电类型，其中，第一鳍结构包括交替地堆叠的第一半导体图案和第一牺牲图案；第一鳍结构上的第一接触部；第一外延图案，在阱区上并且具有第一导电类型；以及第二接触部，在第一外延图案上。

公开(公告)号：CN118335747A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311204658.X

申请日：2023-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秀真 ,  姜明吉 ,  朴范琎 ,  金洞院 ,  金永权 ,  庾烋旻

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/762 ,  H01L21/82

Abstract: 半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一有源图案，在第一有源区上；第二有源图案，在第二有源区上；器件隔离层，填充第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽，器件隔离层具有凹形顶表面；第一栅电极，在第一有源区中；第二栅电极，在第二有源区中；栅切割图案，设置在第一栅电极与第二栅电极之间并将第一栅电极与第二栅电极分离；以及绝缘图案，在栅切割图案与器件隔离层的凹形顶表面之间。

公开(公告)号：CN118263313A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311414790.3

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永权 ,  姜明吉 ,  郑秀真 ,  金洞院 ,  朴范琎 ,  梁洪铣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上；第一栅极结构，与第一有源图案相交；第一外延图案，连接到第一有源图案，并且包括n型杂质；第一源/漏接触部，穿透第一外延图案的上表面，并且连接到第一外延图案；第二有源图案，在第二区域上；第二栅极结构，与第二有源图案相交；第二外延图案，连接到第二有源图案，并且包括p型杂质；以及第二源/漏接触部，穿透第二外延图案的上表面，并且连接到第二外延图案。第一源/漏接触部的下表面比第二源/漏接触部的下表面低。

公开(公告)号：CN117637808A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311028875.8

申请日：2023-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永权 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  朴范琎 ,  全仁雨 ,  郑秀真

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区域；栅电极层，其与有源区域交叉，并且在第二方向上延伸；多个沟道层，其位于有源区域上，在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，从有源区域顺序地设置，并且被栅电极层围绕；栅极间隔件层，其设置在栅电极层在第一方向上的侧表面上；以及源极/漏极区域，其设置在有源区域上，位于栅电极层的侧面上，并且连接到多个沟道层。多个沟道层之中的最上的沟道层包括沟道部分，沟道部分在第一方向上彼此分离，并且设置在栅极间隔件层下方。

公开(公告)号：CN109801913B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811374372.5

申请日：2018-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  朴范琎 ,  宋升珉 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括多个沟道、栅极结构和源极/漏极层。多个沟道分别设置在多个水平面处，并在衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开。栅极结构设置在衬底上，至少部分地围绕每个沟道的表面，并在基本上平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。源极/漏极层设置在栅极结构的在第二方向上的相反两侧的每个处并且连接到沟道的侧壁，该第二方向基本上平行于衬底的上表面并基本上垂直于第一方向。栅极结构在第二方向上的长度在从衬底的上表面起在垂直方向上的第一高度处沿着第一方向变化。

公开(公告)号：CN116072611A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210967697.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴范琎 ,  成石铉 ,  李豪真 ,  金洞院 ,  李东奎 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  崔汉别 ,  河智龙

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。