公开(公告)号：CN114551444A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111392644.6

申请日：2021-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申在训 ,  徐凤锡 ,  金大元 ,  朴硕炯 ,  刘庭均 ,  李在润

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区以及在其间的场区；分别提供在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别提供在第一有源图案和第二有源图案上的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；在第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案和在第二源极/漏极图案之间的第二沟道图案；以及栅电极，从第一沟道图案延伸到第二沟道图案以跨越场区。第一沟道图案和第二沟道图案中的每个可以包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案。在场区上的栅电极的下部的宽度可以随着与衬底的顶表面的距离减小而减小。

公开(公告)号：CN113497035A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011342115.0

申请日：2020-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐凤锡 ,  金大元 ,  朴范琎 ,  朴硕炯 ,  朴星一 ,  申在训 ,  杨奉燮 ,  刘庭均 ,  李在润

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区，限定在衬底上；第一栅电极，跨第一有源区；第一漏区，在第一有源区中与第一栅电极相邻的位置处；底切区域，在第一有源区与第一栅电极之间；以及第一栅间隔物，在第一栅电极的侧表面上并延伸到底切区域中。