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公开(公告)号：CN114582865A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110912217.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上，并且包括一对第一源极/漏极图案和第一沟道图案，第一沟道图案包括第一半导体图案；第二有源图案，在第二区域上，并且包括一对第二源极/漏极图案和第二沟道图案，第二沟道图案包括第二半导体图案；支撑图案，在两个垂直相邻的第一半导体图案之间；以及第一栅电极和第二栅电极，在第一沟道图案和第二沟道图案上。第一沟道图案的沟道长度比第二沟道图案的沟道长度大。支撑图案的宽度与第一沟道图案的沟道长度的比率在0.05至0.2的范围内。
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