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公开(公告)号：CN1515961A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02152489.0
申请日：1998-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/027 , C08F222/06
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F222/06 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了一种用于化学放大抗蚀剂的抗蚀组合物，所述抗蚀组合物包含光酸引发剂和式(II)聚合物：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。
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公开(公告)号：CN101587286B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810174057.8
申请日：2008-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/16 , G03B21/00 , F21V29/00 , H05K7/20 , F21Y101/02
CPC classification number: G03B21/16
Abstract: 本发明公开了一种具有冷却装置的图像投影装置，该冷却装置同时冷却从多个分别发出不同颜色的光线的光源产生的热量和从显示装置产生的热量，同时有效的消散所述热量。所述图像投影装置包括投射光线的投影系统；与所述投影系统串联设置的显示装置；与所述投影系统平行设置的光学系统，还包括多个光源，所述光源发射光线到显示装置并且当光线发射到所述显示装置时产生热量；设置在所述光学系统外边缘的热消散装置，其消散从所述多个光源产生的热量；以及设置为与所述显示装置相对的冷却风扇，其吸入空气和将空气排出到所述热消散装置。
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公开(公告)号：CN100508109C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510096517.6
申请日：2005-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。
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公开(公告)号：CN100335971C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN02152489.0
申请日：1998-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/027 , C08F222/06
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F222/06 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了一种用于化学放大抗蚀剂的抗蚀组合物，所述抗蚀组合物包含光酸引发剂和式(II)聚合物：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。
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公开(公告)号：CN101009224A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610135571.1
申请日：2006-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/31 , H01L21/02134 , H01L21/02282 , H01L21/02345 , H01L21/3124
Abstract: 本发明提供了一种绝缘层构图方法、通过该绝缘层构图方法形成的绝缘层以及含有该绝缘层的显示装置。所述方法包括：通过将具有绝缘物质的FOX(可流动氧化物)和使用挥发溶剂溶解所述绝缘物质的溶剂来制备混合溶液；通过在衬底上施加所述混合溶液、烘烤并硬化施加在所述衬底上的混合溶液来形成涂层；将所述涂层的一区域曝光；以及，通过将所得的已曝光结构浸泡在异丙醇中、溶解所述涂层的未曝光区域并烘烤所述涂层的其余区域来形成绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1855446A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077306.2
申请日：2006-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11543
Abstract: 提供一种具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法。该方法包括形成被间隙隔开的相邻隔离层以及在该间隙中形成隧道氧化物层。在隧道氧化物层上形成导电层至不填充间隙的厚度之后，在导电层上形成抛光牺牲层。隔离层上的牺牲层和导电层被除去，由此形成在间隙中自对准的U－形浮栅，以及同时在浮栅内部内形成牺牲层图形。然后凹陷选择的隔离层，以露出浮栅的侧壁。然后从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。
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公开(公告)号：CN1696349A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510072659.9
申请日：2005-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L28/40
Abstract: 提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液，及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法。该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂。阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物，由R1－OSO3－HA+、R1－CO2－HA+、R1－PO42－(HA+)2、(R1)2－PO4－HA+以及R1－SO3－HA+表示，其中R1是C4至C22的直烃基或支烃基，以及A是氨或胺。刻蚀液提供氧化物膜与氮化物膜或与多晶硅膜的高刻蚀选择率。因此，在半导体器件制造工艺如STI器件隔离工艺或电容器形成工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起露出时，在仅仅选择地除去氧化物膜中可以有效地使用该刻蚀液。
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公开(公告)号：CN1581493A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410057456.8
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/00 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852 , Y10S438/978
Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。
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公开(公告)号：CN1488995A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03146640.0
申请日：2003-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/038 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , Y10S430/143
Abstract: 在微电子衬底上形成抗蚀剂图形，抗蚀剂图形包括抗蚀剂材料。包括水溶性树脂的涂层形成在抗蚀剂图形上，其中水溶性树脂和抗蚀剂材料彼此容易混合，并将它们混合以便在抗蚀剂图形和非混合的涂层之间提供含有抗蚀剂材料和水溶性树脂的混合层。可以硬化混合层，并且可以从硬化的混合层上去掉非混合的涂层。
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公开(公告)号：CN1181520A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97122568.0
申请日：1997-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/039
Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有右通式(Ⅱ),其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述;同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物,它含有一光敏酸发生剂和一具有上通式(Ⅲ)的聚合物,其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。
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