公开(公告)号：CN101009224A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610135571.1

申请日：2006-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  李正贤 ,  房想奉

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3124

Abstract: 本发明提供了一种绝缘层构图方法、通过该绝缘层构图方法形成的绝缘层以及含有该绝缘层的显示装置。所述方法包括：通过将具有绝缘物质的FOX(可流动氧化物)和使用挥发溶剂溶解所述绝缘物质的溶剂来制备混合溶液；通过在衬底上施加所述混合溶液、烘烤并硬化施加在所述衬底上的混合溶液来形成涂层；将所述涂层的一区域曝光；以及，通过将所得的已曝光结构浸泡在异丙醇中、溶解所述涂层的未曝光区域并烘烤所述涂层的其余区域来形成绝缘层。

公开(公告)号：CN1937180A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610100110.0

申请日：2006-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  房想奉

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/32055 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 提供了一种用在非易失性存储器件中的富硅氧化物(SRO)的制造方法以及使用该SRO的半导体器件。所述制造SRO的方法包括如下步骤：向所述衬底上吸收不含氧的第一硅源气体并通过含氧反应气体和所述第一硅源气体之间的氧化反应形成SiO2层；以及通过不含氧的第二硅源气体和对应于所述第二硅源气体的反应气体之间的还原反应形成Si层。所述制造方法方便了SRO中O浓度的调节并提供了出色的台阶覆盖，于是允许制造高质量的半导体器件。