光掩膜及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1088525C

    公开(公告)日:2002-07-31

    申请号:CN95101151.0

    申请日:1995-01-10

    Inventor: 韩宇声 孙昌镇

    CPC classification number: G03F7/70441 G03F1/36 G03F7/2061

    Abstract: 一种光掩膜及其制造方法通过改善掩膜图形的邻近效应而增加电容器的电容。该光掩膜包括一个透明衬底、一个用于在衬底上限定透光区的遮光掩膜图形,和一个用于抑制透光区内的邻近效应的光透射控制薄膜图形。通过在遮光掩膜图形的各个独立部分之间的透光区内形成一光透射控制薄膜图形抑制了邻近效应,结果可将掩膜图形精确地转移到衬底上去。因此,增加了电容器的表面面积从而提高了所制造的半导体器件的可靠性。

    自动光阑装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1159602A

    公开(公告)日:1997-09-17

    申请号:CN96105524.3

    申请日:1996-03-01

    CPC classification number: G03F7/70091 G02B5/005

    Abstract: 一种控制相干度的新型自动光阑装置,它包括:一可变光阑;和自动控制可变光阑的驱动马达。驱动马达分X轴和Y轴马达,分别用来沿X轴和Y轴精细地移动可变光阑的中心;和一控制可变光阑半径的马达。通过自动控制光阑,光阑的半径可连续改变,光阑中心可沿X和Y轴精细地移动。因此,能够与任何分步机的光轴精确对准。

    形成图形的方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1066829C

    公开(公告)日:2001-06-06

    申请号:CN93120819.X

    申请日:1993-12-10

    Inventor: 金鹤 韩宇声

    CPC classification number: G03F7/703 G03F1/70 G03F7/2022

    Abstract: 一种形成图形的方法改善了光刻胶图形的轮廓。本方法包括下列各步骤:在有台阶的衬底上形成光刻胶层、用第一掩模将光刻胶层作第一次曝光,用第二掩模将由于台阶使光刻胶层很厚的部位作第二次曝光,所述的第二掩膜有一栅图形或一方格盘型图形,以及将曝过光的光刻胶层显影。尤其是,在台阶处的厚光刻胶要进行充足的曝光,从而避免形成桥接或残胶,而获得改善了轮廓的图形。

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