公开(公告)号：CN1088525C

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：CN95101151.0

申请日：1995-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩宇声 ,  孙昌镇

IPC: G03F1/14

CPC classification number: G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  G03F7/2061

Abstract: 一种光掩膜及其制造方法通过改善掩膜图形的邻近效应而增加电容器的电容。该光掩膜包括一个透明衬底、一个用于在衬底上限定透光区的遮光掩膜图形，和一个用于抑制透光区内的邻近效应的光透射控制薄膜图形。通过在遮光掩膜图形的各个独立部分之间的透光区内形成一光透射控制薄膜图形抑制了邻近效应，结果可将掩膜图形精确地转移到衬底上去。因此，增加了电容器的表面面积从而提高了所制造的半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN1146071A

公开(公告)日：1997-03-26

申请号：CN96103946.9

申请日：1996-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重泫 ,  文诚庸 ,  韩宇声 ,  孙昌镇

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/28 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433

Abstract: 提供了一种用于形成精细图形的新方法。在掩模上，把低于分辨率限度的虚设线或虚设间隔加到主图形上去，该主图形用于确定将被曝光的目标的曝光区域。可以形成所希望的尺寸的精细图形，同时还改善了分辨率。

公开(公告)号：CN1121189A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95101151.0

申请日：1995-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩宇声 ,  孙昌镇

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  G03F7/2061

Abstract: 一种光掩膜及其制造方法通过改善掩膜图形的邻近效应而增加电容器的电容。该光掩膜包括一个透明衬底、一个用于在衬底上限定透光区的遮光掩膜图形，和一个用于抑制透光区内的邻近效应的光透射控制薄膜图形。通过在遮光掩膜图形的各个独立部分之间的透光区内形成一光透射控制薄膜图形抑制了邻近效应，结果可将掩膜图形精确地转移到衬底上去。因此，增加了电容器的表面面积从而提高了所制造的半导体器件的可靠性。