公开(公告)号：CN1089370A

公开(公告)日：1994-07-13

申请号：CN93120819.X

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鹤 ,  韩宇声

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/703 ,  G03F1/70 ,  G03F7/2022

Abstract: 一种形成图形的方法改善了光刻胶图形的轮廓。本方法包括下列各步骤：在有台阶的衬底上形成光刻胶层、用第一掩模将光刻胶层作第一次曝光，用第二掩模将由于台阶使光刻胶层很厚的部位作第二次曝光，以及将曝过光的光刻胶层显影。尤其是，在台阶处的厚光刻胶要进行充足的曝光，从而避免形成桥接或残胶，而获得改善了轮廓的图形。

公开(公告)号：CN1066829C

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN93120819.X

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鹤 ,  韩宇声

IPC: G03F7/20 ,  H05K3/06

CPC classification number: G03F7/703 ,  G03F1/70 ,  G03F7/2022

Abstract: 一种形成图形的方法改善了光刻胶图形的轮廓。本方法包括下列各步骤：在有台阶的衬底上形成光刻胶层、用第一掩模将光刻胶层作第一次曝光，用第二掩模将由于台阶使光刻胶层很厚的部位作第二次曝光，所述的第二掩膜有一栅图形或一方格盘型图形，以及将曝过光的光刻胶层显影。尤其是，在台阶处的厚光刻胶要进行充足的曝光，从而避免形成桥接或残胶，而获得改善了轮廓的图形。

公开(公告)号：CN1092554A

公开(公告)日：1994-09-21

申请号：CN93121123.9

申请日：1993-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鹤 ,  姜浩英

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/265

Abstract: 一种形成半导体器件微细图形的方法，使用低加速电压的电子束(1—5KeV)和甲硅烷基化工艺方法。在衬底上涂敷抗蚀剂以形成抗蚀剂膜，用电子束将抗蚀剂上表面部分作选择性曝光，然后使曝了光的抗蚀剂膜进行选择性甲硅烷基化，使抗蚀剂膜上部形成甲硅烷基化层。用甲硅烷基化层作掩模腐蚀该抗蚀剂膜，以形成抗蚀剂图形。在干法腐蚀第一阶段，甲硅烷基化层的硅和氧等离子起化学反应，形成含SiOX的腐蚀掩模。这样，就使超微细图形(0.1μm)得以制造，电子束光刻的生产率提高了。