公开(公告)号：CN100570873C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200310118109.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李京泰 ,  郑武京 ,  李庸俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路电容器，其容量大并且在制造该电容器时不会出现影响现有技术的问题。该电容器包括上电极，下电极和位于上电极和下电极之间的介质层。对上电极施加第一电压和对下电极施加不同于第一电压的第二电压。一布线层位于与下电极相同或更低的层次中，通过该布线层对上电极施加第一电压。

公开(公告)号：CN113224056B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011271904.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  姜旻局 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  刘海利 ,  崔允基

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。

公开(公告)号：CN116190345A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211500173.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宇珹 ,  朴媛智 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  金知炯 ,  丁少锋 ,  洪锡俊 ,  黄帝官

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种插入结构和包括其的半导体封装，该插入结构包括：插入基板；在插入基板的上表面上的层间绝缘层；在层间绝缘层内的电容器结构；在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路，第一通路连接到电容器结构；在层间绝缘层上的绝缘层；在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路，第二通路连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。

公开(公告)号：CN116031249A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211181515.7

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  金知炯 ,  朴媛智 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  崔允基

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了一种三维集成电路结构，其包括有源器件管芯和堆叠在有源器件管芯上的无源器件管芯。有源器件管芯包括：第一基板，包括彼此相反的正面和背面；在第一基板的背面上的供电网络；在第一基板的正面上的器件层；在器件层上的第一布线层；以及从供电网络垂直地延伸到第一布线层的贯通接触。无源器件管芯包括：第二基板，包括彼此相反的正面和背面，第二基板的正面面对第一基板的正面；在第二基板的正面上的层间电介质层，层间电介质层包括至少一个孔；在孔中的无源器件；以及在无源器件上的第二布线层，其中第二布线层面对并连接到第一布线层。

公开(公告)号：CN115223992A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210164638.3

申请日：2022-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一导电下布线，被设置在第一金属层级并且沿第一方向延伸；第一上布线结构，被连接到所述第一导电下布线并且包括第一导电上布线和第一导电上过孔，其中，所述第一导电上布线被设置在比所述第一金属层级高的第二金属层级并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；以及导电插入图案，被设置在所述第一导电下布线与所述第一上布线结构之间并且被连接到所述第一导电上过孔。所述导电插入图案的上表面在所述第一方向上具有第一宽度，并且所述第一导电上过孔的底表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN111128954A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911035178.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴桭胡 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的第二电极；在第一电极和第二电极之间的第一电介质层；在第二电极上的第三电极；在第二电极和第三电极之间的第二电介质层；以及穿透第三电极并接触第一电极的第一接触插塞，第一接触插塞接触第三电极的顶表面和第三电极的侧表面。

公开(公告)号：CN110875275A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910491844.3

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。更具体地，提供了包括通过简化工艺来改善静电容量的电容器的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：限定第一沟槽的绝缘结构，所述绝缘结构位于衬底上；位于所述绝缘结构中的第一导电层，所述第一导电层的上表面的第一部分由所述第一沟槽暴露；电容器结构，所述电容器结构包括位于所述第一导电层上的第一电极图案、位于所述第一电极图案上的介电图案和位于所述介电图案上的第二电极图案，所述第一电极图案沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面以及所述绝缘结构的上表面延伸；以及位于所述电容器结构上的第一布线图案。

公开(公告)号：CN110648976A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910530743.2

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴小螺 ,  安正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。

公开(公告)号：CN106298642A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610478765.5

申请日：2016-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇亨 ,  金咽姝 ,  金仁焕 ,  金田中 ,  朴劲必 ,  安正勋 ,  李相哲 ,  李峻宁 ,  李孝善

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了布线结构及其形成方法和包括该布线结构的半导体器件。在形成布线结构的方法中，形成具有第一开口的第一掩模，第一开口包括沿着第二方向延伸的第一部分和沿着第一方向延伸的第二部分。设计包括与第一开口的第一部分重叠的第二开口和各自与第一开口的第二部分重叠的第三开口的第二掩模。将第二掩模制造为包括通过扩大第二开口获得的第四开口。第四开口与第一开口的第一部分与第二部分之间的边界重叠。利用第一掩模和第二掩模蚀刻绝缘夹层，以形成对应于第四开口和第三开口的第一导通孔和第二导通孔以及对应于第一开口的沟槽。第一过孔和第二过孔以及布线被形成为填充第一导通孔和第二导通孔以及沟槽。

公开(公告)号：CN106169439A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610329900.X

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金田中 ,  金永培 ,  金钟三 ,  朴镇亨 ,  安正勋 ,  吴赫祥 ,  李敬雨 ,  李孝善 ,  张淑禧

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/088 ,  H01L21/76877

Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。