公开(公告)号：CN106298642A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610478765.5

申请日：2016-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇亨 ,  金咽姝 ,  金仁焕 ,  金田中 ,  朴劲必 ,  安正勋 ,  李相哲 ,  李峻宁 ,  李孝善

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了布线结构及其形成方法和包括该布线结构的半导体器件。在形成布线结构的方法中，形成具有第一开口的第一掩模，第一开口包括沿着第二方向延伸的第一部分和沿着第一方向延伸的第二部分。设计包括与第一开口的第一部分重叠的第二开口和各自与第一开口的第二部分重叠的第三开口的第二掩模。将第二掩模制造为包括通过扩大第二开口获得的第四开口。第四开口与第一开口的第一部分与第二部分之间的边界重叠。利用第一掩模和第二掩模蚀刻绝缘夹层，以形成对应于第四开口和第三开口的第一导通孔和第二导通孔以及对应于第一开口的沟槽。第一过孔和第二过孔以及布线被形成为填充第一导通孔和第二导通孔以及沟槽。

公开(公告)号：CN109817604B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201811255818.2

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  李峻宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括有源电路区域和围绕有源电路区域的边界区域，边界区域包括基板的边缘部分；第一下部导电图案，设置在边界区域的基板上；以及第一上部导电图案，在第一下部导电图案上方连接到第一下部导电图案，其中，第一上部导电图案包括具有第一厚度的第一部分、具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分、以及具有大于第二厚度的第三厚度的第三部分，并且第一上部导电图案的第三部分连接到第一下部导电图案。

公开(公告)号：CN109817569B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201811292443.7

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李峻宁 ,  安正勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一电极，包括第一主部分、以及从第一主部分延伸的第一延伸部；以及介电层，围绕第一主部分的侧壁和底表面，其中，第一主部分包括具有第一深度的第一部分、和具有比第一深度深的第二深度的第二部分。

公开(公告)号：CN109817604A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811255818.2

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  李峻宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括有源电路区域和围绕有源电路区域的边界区域，边界区域包括基板的边缘部分；第一下部导电图案，设置在边界区域的基板上；以及第一上部导电图案，在第一下部导电图案上方连接到第一下部导电图案，其中，第一上部导电图案包括具有第一厚度的第一部分、具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分、以及具有大于第二厚度的第三厚度的第三部分，并且第一上部导电图案的第三部分连接到第一下部导电图案。

公开(公告)号：CN109817569A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811292443.7

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李峻宁 ,  安正勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一电极，包括第一主部分、以及从第一主部分延伸的第一延伸部；以及介电层，围绕第一主部分的侧壁和底表面，其中，第一主部分包括具有第一深度的第一部分、和具有比第一深度深的第二深度的第二部分。

公开(公告)号：CN106298642B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201610478765.5

申请日：2016-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇亨 ,  金咽姝 ,  金仁焕 ,  金田中 ,  朴劲必 ,  安正勋 ,  李相哲 ,  李峻宁 ,  李孝善

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明公开了布线结构及其形成方法和包括该布线结构的半导体器件。在形成布线结构的方法中，形成具有第一开口的第一掩模，第一开口包括沿着第二方向延伸的第一部分和沿着第一方向延伸的第二部分。设计包括与第一开口的第一部分重叠的第二开口和各自与第一开口的第二部分重叠的第三开口的第二掩模。将第二掩模制造为包括通过扩大第二开口获得的第四开口。第四开口与第一开口的第一部分与第二部分之间的边界重叠。利用第一掩模和第二掩模蚀刻绝缘夹层，以形成对应于第四开口和第三开口的第一导通孔和第二导通孔以及对应于第一开口的沟槽。第一过孔和第二过孔以及布线被形成为填充第一导通孔和第二导通孔以及沟槽。