-
公开(公告)号：CN105789309B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201511000918.7
申请日：2015-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：包括多条长边和第一短边的鳍；第一沟槽，其紧邻所述鳍的第一短边并且具有第一深度；第二沟槽，其紧邻第一沟槽并且具有大于第一深度的第二深度；第一突出结构，其从第一沟槽的底部突出并且与第一短边并排延伸；以及栅极，其形成在第一突出结构上以与第一短边并排延伸。
-
公开(公告)号：CN106558618B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610847647.7
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
-
公开(公告)号：CN106684147B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201610545881.4
申请日：2016-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。
-
公开(公告)号：CN109935587A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811176477.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。
-
公开(公告)号：CN109494253A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811054979.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了垂直场效应晶体管(vFET)和包括其的半导体器件。该vFET包括在衬底的上部处并掺杂以第一杂质的第一杂质区。第一扩散控制图案形成在第一杂质区上。第一扩散控制图案配置为控制第一杂质的扩散。沟道在与衬底的上表面基本上正交的垂直方向上延伸。第二杂质区在沟道上并掺杂以第二杂质。第二扩散控制图案在沟道与第二杂质区之间。第二扩散控制图案配置为控制第二杂质的扩散。栅极结构与沟道相邻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511526A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810156564.2
申请日：2018-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶端处并具有比有源柱更大的宽度。第一绝缘层设置在有源柱的侧壁上，第二绝缘层至少设置在第一源极/漏极区的底表面上。栅电极设置在第一绝缘层和第二绝缘层上。第二源极/漏极区在有源柱的底端处设置在衬底中。还描述了制造方法。
-
公开(公告)号：CN106057889A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610168351.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案，沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。
-
公开(公告)号：CN105679757A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510883219.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出、在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层的顶表面比第一器件隔离层的顶表面高，第二侧与第一侧相反。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。
-
公开(公告)号：CN109494220B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201810639708.X
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/775 , H01L21/8234 , B82Y10/00
Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；垂直沟道结构，包括在第一方向上延伸的一对有源鳍及夹置在所述一对有源鳍之间的绝缘部分，所述第一方向垂直于所述衬底的上表面；上源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构上；下源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构下方及所述衬底上；栅极电极，设置在所述上源极/漏极与所述下源极/漏极之间且环绕所述垂直沟道结构；以及栅极介电层，设置在所述栅极电极与所述垂直沟道结构之间。所述栅极电极与所述上源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔可小于所述栅极电极与所述下源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔。本公开的半导体器件具有适于按比例缩放的结构。
-
公开(公告)号：CN116417517A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211649779.0
申请日：2022-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供能够提高器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，包括在第一方向上延伸的下图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案，其中下图案包括半导体材料；多个栅极结构，在下图案上并在第一方向上彼此间隔开，其中所述多个栅极结构中的每个包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，在栅极结构中的相邻的栅极结构之间，其中源极/漏极凹陷的底部在下图案中；底绝缘衬垫，在源极/漏极凹陷的底部中；以及源极/漏极图案，在源极/漏极凹陷中并且在底绝缘衬垫之上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.03 seconds)
